[發明專利]一種發光二極管及其制造方法

在審

• 申請號: 202011613422.8
• 申請日: 2020-12-30
• 公開（公告）號: CN112635629A
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發明（設計）人: 朱酉良;蔣振宇;閆春輝
• 申請（專利權）人: 深圳第三代半導體研究院
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/00
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 李慶波

1.一種發光二極管，其特征在于，所述發光二極管包括：

外延層，所述外延層包括層疊設置的第一半導體層、有源層以及第二半導體層，其中所述外延層在所述第一半導體層朝向所述第二半導體層一側形成有臺面結構，以外露部分所述第一半導體層；

第一電極層，設置于外露的所述第一半導體層上，并與所述第一半導體層電連接；

絕緣層，覆蓋于所述第一電極層以及所述臺面結構上，且設置有用于外露所述臺面結構內的所述第二半導體層的通孔；

第二電極層，覆蓋于所述絕緣層上，以通過所述絕緣層與所述第一電極層和所述第一半導體層電性隔離，所述第二電極層進一步延伸至所述通孔內，進而與所述第二半導體層電連接。

2.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述第二電極層的材料為反射性材料，所述臺面結構上的所述第二電極層呈杯狀設置，以使得所述第二電極層進一步作為反射杯。

3.根據權利要求2所述的發光二極管，其特征在于，所述第二電極層對所述臺面結構和所述外露的第一半導體層進行全覆蓋。

4.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述臺面結構為間隔設置的多個，所述第一電極層在多個所述臺面結構的間隔區域內形成互聯的網狀結構。

5.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述發光二極管進一步包括生長基板，所述第一半導體層、有源層以及第二半導體層分別以外延生長方式生長于所述生長基板上。

6.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述發光二極管進一步包括封裝基板，所述第二電極層背離所述外延層的一側以鍵合方式固定于所述封裝基板上。

7.根據權利要求6所述的發光二極管，其特征在于，所述外露的第一半導體上進一步設置有外露所述第一電極層和/或所述第二電極層的開口區域。

8.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述通孔形成于所述臺面結構的頂部。

9.一種發光二極管的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

提供一外延層，所述外延層包括層疊設置的第一半導體層、有源層以及第二半導體層，其中所述外延層在所述第一半導體層朝向所述第二半導體層一側形成有臺面結構，以外露部分所述第一半導體層；

在外露的所述第一半導體層上沉積第一電極層，其中所述第一電極層與所述第一半導體層電連接；

在所述第一電極層以及所述臺面結構上沉積絕緣層，并在所述絕緣層上形成外露所述臺面結構內的所述第二半導體層的通孔；

在所述絕緣層上沉積第二電極層，其中所述第二電極層通過所述絕緣層與所述第一電極層和所述第一半導體層電性隔離，所述第二電極層進一步延伸至所述通孔內，進而與所述第二半導體層電連接。

10.根據權利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述提供一外延層的步驟包括：

在生長基板上以外延生長方式依次生長所述第一半導體層、所述有源層以及所述第二半導體層；

在所述第一半導體層、所述有源層以及所述第二半導體層背離所述生長基板的一側進行圖案化處理，以形成所述臺面結構。

11.根據權利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法進一步包括：

所述第二電極層背離所述外延層的一側以鍵合方式固定于封裝基板上；

剝離所述生長基板；

對所述外露的第一半導體層進行蝕刻，以形成外露所述第一電極層和/或所述第二電極層的開口區域。

12.根據權利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述第二電極層的材料為反射性材料，所述臺面結構上的所述第二電極層呈杯狀設置，以使得所述第二電極層進一步作為反射杯。