[發明專利]一種碳化硅納米纖維氣凝膠的制備方法有效
| 申請號: | 202011612437.2 | 申請日: | 2020-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN112607740B | 公開(公告)日: | 2022-07-26 |
| 發明(設計)人: | 陳建軍;施嘉輝;侯紅臣;鄭旭鵬;羅小雨 | 申請(專利權)人: | 浙江理工大學 |
| 主分類號: | C01B32/97 | 分類號: | C01B32/97;B01J13/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 杭州求是專利事務所有限公司 33200 | 代理人: | 林超 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 碳化硅 納米 纖維 凝膠 制備 方法 | ||
本發明公開了一種碳化硅納米纖維氣凝膠的制備方法。包括以下步驟:1)通過溶膠凝膠法在碳纖維表面包覆SiO2凝膠;2)將表面包覆SiO2凝膠的碳纖維聚集體進行分散,得到蓬松的碳纖維氈;3)通過溶膠凝膠法制備SiO2/C凝膠粉;4)將SiO2/C凝膠粉鋪設在坩堝底部,將步驟2)制備的蓬松碳纖維氈放至SiO2/C凝膠粉上方,蓋上坩堝蓋;5)將步驟4)的坩堝置于高溫氣氛爐內,在高溫條件下,制備得到碳化硅納米纖維氣凝膠。本發明制備的氣凝膠由碳化硅納米纖維三維空間交織構筑而成,孔隙結構可控,制備工藝簡單,反應充分無需后續煅燒處理,產物宏觀形貌可控,容易實現氣凝膠大尺寸及規模化生產制備。
技術領域
本發明涉及一種氣凝膠的制備方法,具體涉及一種碳化硅納米纖維氣凝膠的制備方法。
背景技術
氣凝膠是一種納米級多孔材料,具有低導熱率、低密度、高孔隙率,超大的比表面積等優異性質,在航空航天、防火隔熱、生物醫學、過濾與催化吸附等等領域有廣泛的應用前景。
目前研究最多的是SiO2氣凝膠、Al2O3氣凝膠和炭氣凝膠,傳統氣凝膠的制備過程總體上可以分為兩步:溶膠凝膠過程與干燥處理過程。溶膠凝膠過程通常是指在催化劑的作用下,前驅體發生水解、縮聚反應后形成溶膠,然后經老化形成凝膠的過程。在凝膠干燥過程中,關鍵技術是盡量保持凝膠結構的完整性,避免凝膠的網絡結構被氣液表面產生的毛細管張力破壞。通常氣凝膠的干燥處理過程主要分為三類:超臨界干燥、冷凍干燥和常壓干燥。
碳化硅氣凝膠具有優異的耐高溫、抗氧化性能,受到越來越多的研究者關注。現有技術中的碳化硅氣凝膠制備技術具有如下問題:(1)通常采用聚碳硅烷聚合物先驅體轉化制備陶瓷法制備碳化硅氣凝膠,原料成本高,且由于氣凝膠材料骨架結構較為疏松,機械性能低,脆性使得氣凝膠整體結構容易坍塌;(2)碳化硅氣凝膠材料的冷凍干燥制備技術,特別是超臨界干燥技術,導致其制備成本高,制備周期長;(3)苛刻的干燥技術條件對設備的溫度或壓力性能提出了極高的要求,導致反應過程往往只能在一個較小的腔體內進行,很難實現大尺寸氣凝膠的制備。這些問題嚴重限制了氣凝膠材料的實際產業化應用。
發明內容
為了解決背景技術中的問題,本發明提出了一種碳化硅納米纖維氣凝膠的制備方法。其主要反應機理為:在高溫條件下,含有可膨脹石墨的溶膠凝膠粉生成SiO、Si、CO等氣體,與碳纖維反應生成碳化硅晶核。碳化硅晶核主要按兩步生長:由SiO、Si等硅源氣體與碳纖維接觸后,在纖維表面和界面處發生氣固反應形成SiC晶核;CO等碳源氣體和SiO、Si等硅源氣體在接觸碳纖維表面后發生的氣相反應,根據晶面擇優取向使得SiC晶核沿特定晶格方向一維生長,形成碳化硅納米纖維。此外,本發明將包覆SiO2后的碳纖維聚集體經彈花機刺輥與羅拉間巨大的拉伸力后,被分離為單纖維狀態,在氣流作用下,經輸棉通道,形成蓬松的碳纖維氈,為后續高溫氣氛爐中碳化硅納米纖維的生長提供了有利空間;碳纖維充分反應,無需后續煅燒除碳,也避免煅燒過程對碳化硅納米纖維的氧化;碳纖維表面包覆SiO2有利于SiC晶核生長。本方法工藝簡單,對設備要求低,制備成本低,生產效率高,易于實現規模化工業生產。
本發明采用以下技術方案包括以下步驟:
1)碳纖維表面的SiO2包覆:通過溶膠凝膠法在碳纖維表面包覆SiO2凝膠;
2)蓬松碳纖維氈的制備:將表面包覆SiO2凝膠的碳纖維聚集體進行分散,得到蓬松的碳纖維氈;
3)SiO2/C凝膠粉原料的制備:通過溶膠凝膠法制備SiO2/C凝膠粉;
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