[發明專利]光阻劑組成物和制造半導體元件的方法

在審

• 申請號: 202011611909.2
• 申請日: 2020-12-30
• 公開（公告）號: CN113126433A
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發明（設計）人: 陳彥豪;賴韋翰;張慶裕
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F7/004
• 分類號: G03F7/004
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種制造半導體元件的方法，其特征在于，包括：

形成包含光阻劑組成物的光阻層在基板上方；

選擇性地曝露該光阻層于光化輻射；及

顯影選擇性曝露的該光阻層，

其中該光阻劑組成物包含：

光活性化合物；

交聯劑；及

共聚物，

其中該共聚物為

其中A1及A2為獨立地直接鍵接、C6-C15苯基基團、C7-C15芐基基團、C1-C15烷基基團、C3-C15環烷基基團、C1-C15羥烷基基團、C2-C15烷氧基基團、C3-C15烷氧基烷基基團、C2-C15乙酰基基團、C3-C15乙酰基烷基基團、C1-C15羧基基團、C2-C15烷基羧基基團、C4-C15環烷基羧基基團、C3-C15飽和或不飽和烴環、C2-C15雜鏈、C3-C15雜環、或經取代或未經取代三維環狀結構，

R1為熱或酸不穩定基團，包含C4-C15烷基、C4-C15環烷基、C4-C15羥烷基、C4-C15烷氧基、或C4-C15烷氧基烷基基團、或經取代或未經取代三維環狀結構；

R2為經取代或未經取代C4-C10環烷基基團；

Ra及Rb為獨立地H或CH₃；并且

0x/(x+y)1及0y/(x+y)1。

2.如權利要求1所述的方法，其中該共聚物包含R1，并且R1為經取代或未經取代金剛烷基或降莰基結構。

3.如權利要求1所述的方法，其中該交聯劑為

4.如權利要求1所述的方法，其中該共聚物是選自由以下組成的群組

及

5.一種制造半導體元件的方法，其特征在于，包括：

在基板上方形成包含抗蝕劑組成物的抗蝕層；

在該抗蝕層中形成潛在圖案；及

顯影該抗蝕層中的該潛在圖案，

其中該抗蝕劑組成物包含：

交聯劑；及

共聚物，

其中該共聚物為

其中A1及A2為獨立地直接鍵接、C6-C15苯基基團、C7-C15芐基基團、C1-C15烷基基團、C3-C15環烷基基團、C1-C15羥烷基基團、C2-C15烷氧基基團、C3-C15烷氧基烷基基團、C2-C15乙酰基基團、C3-C15乙酰基烷基基團、C1-C15羧基基團、C2-C15烷基羧基基團、C4-C15環烷基羧基基團、C3-C15飽和或不飽和烴環、C2-C15雜鏈、C3-C15雜環、或經取代或未經取代三維環狀結構；

R1為熱或酸不穩定基團，包含C4-C15烷基、C4-C15環烷基、C4-C15羥烷基、C4-C15烷氧基、C4-C15烷氧基烷基基團、或經取代或未經取代三維環狀結構；

R2為經取代或未經取代C4-C10環烷基基團；

Ra及Rb為獨立地H或CH₃；并且

0x/(x+y)1及0y/(x+y)1。

6.如權利要求5所述的方法，其中藉由使該抗蝕層呈圖案地曝露于來自氟化氪激光的輻射，形成該潛在圖案。

7.如權利要求5所述的方法，進一步包括在使該潛在圖案顯影之前，將該抗蝕層在40℃至160℃范圍內的溫度下加熱。