[發明專利]垂直結構發光二極管芯片的P電極的制備方法有效
| 申請號： | 202011610562.X | 申請日： | 2020-12-30 |
| 公開（公告）號： | CN112885937B | 公開（公告）日： | 2022-05-17 |
| 發明（設計）人： | 劉旺平;梅勁;劉春楊;張武斌;葛永暉 | 申請（專利權）人： | 華燦光電（浙江）有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/40 | 分類號： | H01L33/40 |
| 代理公司： | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138 | 代理人： | 呂耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 垂直 結構 發光二極管 芯片 電極 制備 方法 | ||
1.一種垂直結構發光二極管芯片的P電極的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：
提供發光二極管外延片，所述發光二極管外延片包括襯底以及層疊在所述襯底上的緩沖層、未摻雜GaN層、N型GaN層、多量子阱層、電子阻擋層、P型GaN層和P型歐姆接觸層；
在所述P型歐姆接觸層上生長接觸層電極，對所述接觸層電極進行熱退火處理，所述接觸層電極包括Ni層；
在所述接觸層電極上生長第一反射層電極，對所述第一反射層電極進行熱退火處理，所述第一反射層電極包括第一Ag層，所述第一反射層電極的退火時間比所述接觸層電極的退火時間短，所述第一反射層電極的退火溫度比所述接觸層電極的退火溫度低；
在所述第一反射層電極上生長第二反射層電極，所述第二反射層電極包括第三Ag層；
在氮氣氣氛中對所述第二反射層電極進行熱退火處理，所述第二反射層電極的退火溫度為350～400℃，退火時間為1分鐘。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述對所述接觸層電極進行熱退火處理，包括：
在氧氣氣氛中對所述接觸層電極進行熱退火處理，所述接觸層電極的退火溫度為450～550℃，退火時間為3～5分鐘。
3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述Ni層的厚度為0.5～1nm。
4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述接觸層電極還包括第二Ag層，所述第二Ag層位于所述Ni層與所述第一反射層電極之間。
5.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述第二Ag層的厚度為1～1.5nm。
6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述對所述第一反射層電極進行熱退火處理，包括：
在氧氣氣氛中對所述第一反射層電極進行熱退火處理，所述第一反射層電極的退火溫度為350～400℃，退火時間為1分鐘。
7.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第一Ag層的厚度為100～200nm。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于華燦光電（浙江）有限公司，未經華燦光電（浙江）有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011610562.X/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
