[發明專利]存儲介質的數據重讀方法、系統、終端設備以及存儲介質

在審

• 申請號: 202011610482.4
• 申請日: 2020-12-29
• 公開（公告）號: CN112634973A
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發明（設計）人: 張高信;羅挺;吳大畏;李曉強
• 申請（專利權）人: 合肥致存微電子有限責任公司
• 主分類號: G11C16/34
• 分類號: G11C16/34
• 代理公司: 深圳市恒程創新知識產權代理有限公司 44542
• 代理人: 孔德丞

本發明公開了一種存儲介質的數據重讀方法、系統、終端設備及計算機存儲介質，通過在監測到從存儲介質的數據頁讀取數據報錯時，確定所述數據頁的數據頁類型；若確定所述數據頁類型為單電壓閾值類型，則獲取所述數據頁的比特數據，其中，所述比特數據包括0比特值的數量；根據所述比特數據確定所述數據頁的電壓閾值的偏移方向，并按照所述偏移方向偏移所述數據頁的默認電壓閾值以針對所述數據頁進行數據重讀。相比于現有技術，本發明無需按照偏移值進行左右試探性的電壓偏移來重讀數據，節省了數據重讀時間，提升了數據讀取報錯情況下的數據重讀效率。

技術領域

本發明涉及存儲設備技術領域，尤其涉及一種存儲介質的數據重讀方法、系統、終端設備及計算機存儲介質。

背景技術

時下，使用nand flash(一種flash閃存存儲器)進行數據存儲時，由于 nandflash自身存在的ReadDistrub讀干擾、ProgramDistrub寫干擾、高低溫以及擦寫次數等因素的影響，往往容易使nand flash的浮柵結構內的電子數量發生變化。如此，在nand flash進行讀取數據時就會因為電子變化造成的錯誤比特翻轉而造成數據讀取失敗，進而需要觸發數據重讀以重新進行數據的讀取操作。

然而，現有數據重讀方式在針對單電壓閾值(電壓閾值是供nand flash進行數據重讀時偏移電壓的基礎電壓閾值)類型的數據頁進行數據重讀時，通常是按照既定的一系列偏移值先向左偏移該電壓閾值重讀數據，若不成功則再向右偏移該電壓閾值再次重讀數據，如此反復嘗試直至最終數據重讀成功。如此，數據重讀不僅需要耗費大量時間進行嘗試，且容易存在無法重讀成功的現象。

綜上，現有使用nand flash針對單電壓閾值類型的數據頁的數據重讀效率低下。

發明內容

本發明的主要目的在于提供一種存儲介質的數據重讀方法、系統、終端設備及計算機存儲介質，旨在解決現有使用nand flash針對單電壓閾值類型的數據頁的數據重讀效率低下的技術問題。

為實現上述目的，本發明提供一種存儲介質的數據重讀方法，所述存儲介質的數據重讀方法包括：

在監測到從存儲介質的數據頁讀取數據報錯時，確定所述數據頁的數據頁類型；

若確定所述數據頁類型為單電壓閾值類型，則獲取所述數據頁的比特數據，其中，所述比特數據包括0比特值的數量；

根據所述比特數據確定所述數據頁的電壓閾值的偏移方向，并按照所述偏移方向偏移所述數據頁的默認電壓閾值以針對所述數據頁進行數據重讀。

進一步地，所述比特數據還包括所述數據頁的最大比特位數，

所述根據所述比特數據確定所述數據頁的電壓閾值的偏移方向的步驟，包括：

檢測所述0比特值的數量是否大于所述最大比特位數的二分之一；

在檢測到所述0比特值的數量大于所述最大比特位數的二分之一時，確定所述數據頁的電壓閾值的偏移方向為向右偏移；

在檢測到所述0比特值的數量未大于所述最大比特位數的二分之一時，確定所述數據頁的電壓閾值的偏移方向為向左偏移。

進一步地，所述比特數據還包括1比特值的數量，

所述根據所述比特數據確定所述數據頁的電壓閾值的偏移方向的步驟，還包括：

檢測所述0比特值的數量是否大于所述1比特值的數量；

在檢測到所述0比特值的數量大于所述1比特值的數量時，確定所述數據頁的電壓閾值的偏移方向為向右偏移；

在檢測到所述0比特值的數量未大于所述1比特值的數量時，確定所述數據頁的電壓閾值的偏移方向為向左偏移。

進一步地，所述存儲介質的數據重讀方法還包括：