[發明專利]一種復合材料及其制備方法、量子點發光二極管

在審

• 申請號: 202011609538.4
• 申請日: 2020-12-30
• 公開（公告）號: CN114695810A
• 公開（公告）日: 2022-07-01
• 發明（設計）人: 李俊杰;張天朔;郭煜林;童凱
• 申請（專利權）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/54;H01L51/50;B82Y40/00;B82Y30/00
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 徐凱凱

本發明公開了一種復合材料及其制備方法、量子點發光二極管，其中，所述復合材料包括氧化鋅納米顆粒以及包覆在所述氧化鋅納米顆粒表面的聚吡咯。本發明所述復合材料中，所述聚吡咯的包覆能有效增加氧化鋅納米顆粒之間的間隔，并鈍化氧化鋅納米顆粒的表面，減少氧空位的產生；所述聚吡咯的包覆還能夠保護氧化鋅納米顆粒不發生團聚；所述吡咯表面有N，C原子，能有效提供電子傳輸通路，提高電子傳輸能力；所述聚吡咯的包覆包覆還能有效隔絕水氧對氧化鋅納米顆粒的侵蝕，相比普通的配體，聚吡咯的致密性更高。

技術領域

本發明涉及量子點發光二極管領域，尤其涉及一種復合材料及其制備方法、量子點發光二極管。

背景技術

量子點發光二極管(QLED)是由陰極、空穴傳輸層、量子點發光層、電子傳輸層和陽極構成的結構，當外加電壓時，電子和空穴分別從各自電極注入，兩者復合發光。QLED由于其光譜在可見光區連續可調，寬吸收窄發射、高的色純度和發光強度等優異性能得到越來越多的關注。

ZnO是一種常見的Ⅱ-Ⅵ半導體化合物，其材料的禁帶寬度可達3.34eV，具有光電性能協調性，是一種理想的電子傳輸層材料。以電子傳輸層材料-ZnO基納米晶作為QLED器件的載流子傳輸材料得到廣泛的研究。

在氧化鋅應用過程中，無機納米氧化鋅顆粒需要分散到有機基體中，但常因以下原因引起無機納米粒子的團聚：(1)分子間力、氫鍵、靜電作用等引起的顆粒聚集；(2)由于顆粒間的量子隧道效應、電荷轉移和界面原子的相互耦合，使微粒極易通過界面發生相互作用和固相反應而團聚；(3)由于納米微粒的比表面積巨大，與空氣或各種介質接觸后極易吸附氣體、介質或與之作用而失去原來的表面性質，導致粘連與團聚；(4)其表面能極高，接觸界面較大，處于非熱力學穩定態，這使得晶粒生長的速度加快，因而顆粒尺寸很難保持不變。無機納米氧化鋅顆粒的團聚會直接導致氧化鋅電導率降低，載流子傳輸不平衡，最終導致器件效率較低，容易淬滅。

因此，現有技術還有待于改進和發展。

發明內容

鑒于上述現有技術的不足，本發明的目的在于提供一種復合材料及其制備方法、量子點發光二極管，旨在解決現有納米氧化鋅顆粒易團聚導致其電導率降低，載流子傳輸不平衡的問題。

本發明的技術方案如下：

一種復合材料，其中，包括氧化鋅納米顆粒以及包覆在所述氧化鋅納米顆粒表面的聚吡咯。

一種復合材料的制備方法，其中，包括步驟：

將吡咯與陽離子表面活性劑混合，得到第一混合液；

將堿性化合物分散到有機醇溶劑中，得到堿液；

將所述堿液加入到鋅鹽溶液中混合，再加入所述第一混合液混合，最后加入氧化劑混合，反應制得所述復合材料。

一種量子點發光二極管，其中，包括電子傳輸層，所述電子傳輸層材料為本發明所述的復合材料或者為本發明所述制備方法制得的復合材料。

有益效果：本發明提供的復合材料包括氧化鋅納米顆粒以及包覆在所述氧化鋅納米顆粒表面的聚吡咯。所述聚吡咯的包覆能有效增加氧化鋅納米顆粒之間的間隔，并鈍化氧化鋅納米顆粒的表面，減少氧空位的產生，降低氧化鋅納米顆粒的表面能，從而保護氧化鋅納米顆粒不發生團聚；所述吡咯表面有N，C原子，能有效提供電子傳輸通路，提高電子傳輸能力；所述聚吡咯的包覆包覆還能有效隔絕水氧對氧化鋅納米顆粒的侵蝕，相比普通的配體，聚吡咯的致密性更高。

附圖說明

圖1為本發明提供的一種復合材料的制備方法較佳實施例的流程圖。

圖2為本發明提供的一種正置結構的量子點發光二極管的結構示意圖。

圖3為本發明提供的一種正置結構的量子點發光二極管的制備方法較佳實施例的流程圖。