[發明專利]發光二極管的外延片及其制備方法

在審

• 申請號: 202011609269.1
• 申請日: 2020-12-30
• 公開（公告）號: CN112768575A
• 公開（公告）日: 2021-05-07
• 發明（設計）人: 丁濤;龔程成;尹涌;梅勁
• 申請（專利權）人: 華燦光電（浙江）有限公司
• 主分類號: H01L33/02
• 分類號: H01L33/02;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/32;H01L33/00
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 呂耀萍

1.一種發光二極管的外延片，其特征在于，所述外延片包括襯底(10)和依次形成在所述襯底(10)上的高溫AlN緩沖層(20)、過渡層(30)、n型AlGaN層(40)、多量子阱層(50)和p型層(60)，其中，所述過渡層(30)包括依次層疊的第一周期結構(31)、第二周期結構(32)和第三周期結構(33)，所述第一周期結構(31)、所述第二周期結構(32)和所述第三周期結構(33)均包括交替層疊的AlN層(301)和Al_0.6Ga_0.4N層(302)；

所述第一周期結構(31)中的所述AlN層(301)的厚度大于所述第二周期結構(32)中的所述AlN層(301)的厚度，所述第二周期結構(32)中的所述AlN層(301)的厚度大于所述第三周期結構(33)中的所述AlN層(301)的厚度；

所述第一周期結構(31)中的所述Al_0.6Ga_0.4N層(302)的厚度小于所述第二周期結構(32)中的所述Al_0.6Ga_0.4N層(302)的厚度，所述第二周期結構(32)中的所述Al_0.6Ga_0.4N層(302)的厚度小于所述第三周期結構(33)中的所述Al_0.6Ga_0.4N層(302)的厚度。

2.根據權利要求1所述的外延片，其特征在于，所述AlN層(301)的厚度為20nm～30nm，所述Al_0.6Ga_0.4N層(302)的厚度為20nm～30nm。

3.根據權利要求1所述的外延片，其特征在于，所述第二周期結構(32)中的所述AlN層(301)的厚度與所述第二周期結構(32)中的所述Al_0.6Ga_0.4N層(302)的厚度相等。

4.根據權利要求1所述的外延片，其特征在于，所述第一周期結構(31)的單個所述AlN層(301)的厚度與單個所述Al_0.6Ga_0.4N層(302)的厚度之和、所述第二周期結構(32)的單個所述AlN層(301)的厚度與單個所述Al_0.6Ga_0.4N層(302)的厚度之和、所述第三周期結構(33)的單個所述AlN層(301)的厚度與單個所述Al_0.6Ga_0.4N層(302)的厚度之和均相等。

5.根據權利要求4所述的外延片，其特征在于，所述第一周期結構(31)的單個所述AlN層(301)的厚度與單個所述Al_0.6Ga_0.4N層(302)的厚度之和為0.05μm～0.1μm。

6.根據權利要求1～5任一項所述的外延片，其特征在于，

所述第一周期結構(31)包括3個AlN層(301)和3個Al_0.6Ga_0.4N層(302)；

所述第二周期結構(32)包括4個AlN層(301)和4個Al_0.6Ga_0.4N層(302)；

所述第三周期結構(33)包括3個AlN層(301)和3個Al_0.6Ga_0.4N層(302)。

7.根據權利要求1～5任一項所述的外延片，其特征在于，所述過渡層(30)的厚度為0.5μm～1.0μm。