[發(fā)明專利]觸摸傳感器及其制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011608304.8
• 申請(qǐng)日: 2020-12-30
• 公開（公告）號(hào): CN113157123A
• 公開（公告）日: 2021-07-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金炳仁;李喆勛;林昌慶;張民錫
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東友精細(xì)化工有限公司
• 主分類號(hào): G06F3/041
• 分類號(hào): G06F3/041
• 代理公司: 北京市中倫律師事務(wù)所 11410
• 代理人: 鐘錦舜;劉烽

1.一種觸摸傳感器，包括：

基板層；

交替布置在所述基板層上的第一感測(cè)電極行和第二感測(cè)電極行；

第一跡線，其從所述第一感測(cè)電極行的左端延伸，所述第一跡線包括周期性布置的彎曲部分；

第二跡線，其從所述第二感測(cè)電極行的右端延伸，所述第二跡線包括周期性布置的彎曲部分；

第一浮動(dòng)跡線，其與所述第一跡線中的最外面的第一跡線相鄰；以及

第二浮動(dòng)跡線，其與所述第二跡線中的最外面的第二跡線相鄰。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸摸傳感器，其中所述第一浮動(dòng)跡線包括具有不同長(zhǎng)度的多個(gè)第一浮動(dòng)跡線。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的觸摸傳感器，其中所述第一浮動(dòng)跡線在朝向所述基板層的左側(cè)的方向上變短。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸摸傳感器，其中所述第二浮動(dòng)跡線包括具有不同長(zhǎng)度的多個(gè)第二浮動(dòng)跡線。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的觸摸傳感器，其中所述第二浮動(dòng)跡線在朝向所述基板層的右側(cè)的方向上變短。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸摸傳感器，其還包括：

感測(cè)列電極，其設(shè)置在彼此相鄰的所述第一感測(cè)電極行和所述第二感測(cè)電極行之間；以及

橋電極，其電連接所述感測(cè)列電極中彼此相鄰的感測(cè)列電極。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的觸摸傳感器，其還包括列跡線，所述列跡線連接到所述感測(cè)列電極中包括在所述基板層的端接區(qū)域中的感測(cè)列電極。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸摸傳感器，其中所述第一跡線和所述第二跡線中的每一個(gè)都具有階梯形狀。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸摸傳感器，其中包括在所述第一跡線和所述第二跡線中的所述彎曲部分具有斜線形狀。

10.一種制造觸摸傳感器的方法，包括：

通過使用光掩膜的圖案化工藝，在基板層上形成第一感測(cè)電極行、第二感測(cè)電極行、從所述第一感測(cè)電極行的左端延伸的第一子跡線、設(shè)置在所述第一子跡線周圍的第一浮動(dòng)子跡線、從所述第二感測(cè)電極行的右端延伸的第二子跡線和設(shè)置在所述第二子跡線周圍的第二浮動(dòng)子跡線；以及

通過移動(dòng)所述光掩膜來重復(fù)所述圖案化工藝。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中通過所述圖案化工藝形成沿著相對(duì)于所述第一子跡線的左向方向布置的多個(gè)所述第一浮動(dòng)子跡線，并且通過所述圖案化工藝形成沿著相對(duì)于所述第二子跡線的右向方向布置的多個(gè)所述第二浮動(dòng)子跡線。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中在第n次圖案化工藝中形成的第一子跡線連接到在第n+1次圖案化工藝中形成的第一浮動(dòng)子跡線中與所述第一子跡線相鄰的第一浮動(dòng)子跡線，并且n是大于或等于2的整數(shù)。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中在第n次圖案化工藝中形成的第一浮動(dòng)子跡線中與所述第一子跡線相鄰的第一浮動(dòng)子跡線連接到在第n+1次圖案化工藝中形成的第一浮動(dòng)子跡線中最外面的第一浮動(dòng)子跡線，并且n是大于或等于2的整數(shù)。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中在第n次圖案化工藝中形成的第二子跡線連接到在第n+1次圖案化工藝中形成的第二浮動(dòng)子跡線中與所述第二子跡線相鄰的第二浮動(dòng)子跡線，并且n是大于或等于2的整數(shù)。

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中在第n次圖案化工藝中形成的第二浮動(dòng)子跡線中與所述第二子跡線相鄰的第二浮動(dòng)子跡線連接到在第n+1次圖案化工藝中形成的第二浮動(dòng)子跡線中最外面的第二浮動(dòng)子跡線，并且n是大于或等于2的整數(shù)。