[發(fā)明專利]一種永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子和電機(jī)

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011608056.7
• 申請(qǐng)日: 2020-12-29
• 公開（公告）號(hào): CN112671138A
• 公開（公告）日: 2021-04-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐曉陽;王家堡;趙衛(wèi)國(guó);黃志杰;劉蘭剛;陳小龍;李量
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 無錫新大力電機(jī)有限公司
• 主分類號(hào): H02K1/27
• 分類號(hào): H02K1/27
• 代理公司: 北京智繪未來專利代理事務(wù)所(普通合伙) 11689
• 代理人: 肖繼軍

本發(fā)明公開了一種永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子和電機(jī)。永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子包括：轉(zhuǎn)子組件，所述轉(zhuǎn)子組件沿圓周面上開設(shè)有2n(n＝1，2，3……)個(gè)內(nèi)置的矩形槽，所述矩形槽呈“一”字，矩形槽的外側(cè)兩端開設(shè)有隔磁邊，矩形槽中心對(duì)稱線處開設(shè)有隔磁橋，其電機(jī)轉(zhuǎn)子線速V_tip低時(shí)隔磁橋可設(shè)置數(shù)量為0，反之可設(shè)置數(shù)量為1個(gè)。本發(fā)明根據(jù)轉(zhuǎn)子線速度(轉(zhuǎn)子外表面的機(jī)械離心力)的大小，合理的設(shè)計(jì)隔磁邊寬度，以及隔磁橋的數(shù)量和寬度尺寸，可以使轉(zhuǎn)子組件和永磁體在矩形槽里不發(fā)生左右竄動(dòng)，保證了離心力下的機(jī)械強(qiáng)度，進(jìn)而不僅滿足電機(jī)磁場(chǎng)效果和輸出電性能，還提高了電機(jī)轉(zhuǎn)子抗振動(dòng)的能力，進(jìn)而能有效的拓寬了電機(jī)轉(zhuǎn)速范圍。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種高效永磁電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置，具體而言，涉及一種空壓機(jī)、風(fēng)機(jī)及水泵等類型負(fù)載用驅(qū)動(dòng)永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子和電機(jī)。

背景技術(shù)

永磁電機(jī)以高效、高功率密度、高體積密度以及低溫升等性能優(yōu)勢(shì)得到多個(gè)領(lǐng)域的推廣和應(yīng)用。由于永磁電機(jī)的轉(zhuǎn)子磁場(chǎng)來源于永磁體，因此轉(zhuǎn)子的磁路結(jié)構(gòu)對(duì)永磁體的磁通量有效利用和抗機(jī)械應(yīng)力能力至關(guān)重要，也是設(shè)計(jì)高性能永磁電機(jī)的關(guān)鍵技術(shù)之一，所以永磁電機(jī)的轉(zhuǎn)子磁路結(jié)構(gòu)合理性，直接影響電機(jī)運(yùn)行性能、壽命和可靠性。

目前永磁電機(jī)的轉(zhuǎn)子的磁路結(jié)構(gòu)主要分成瓦片表貼式和內(nèi)置式兩大類型，為了提升永磁體的磁通量有效利用率和提高抗機(jī)械離心力能力，通常瓦片表貼式采用外表面增加鋼套或者綁扎絕緣帶進(jìn)行緊固，增加了轉(zhuǎn)子的損耗和結(jié)構(gòu)復(fù)雜性，而內(nèi)置式采用加厚隔磁邊的形式進(jìn)行加固，導(dǎo)致漏磁增加，降低了永磁體的利用率，因此具有效率降低、成本增加等問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的主要目的在于設(shè)計(jì)一種永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子和電機(jī)，以解決現(xiàn)有技術(shù)中的永磁電機(jī)的永磁體的有效利用率低和抗機(jī)械離心力能差的問題，永磁體的有效利用率與轉(zhuǎn)子隔磁部分息息相關(guān)，轉(zhuǎn)子的機(jī)械離心力主要與轉(zhuǎn)子外表面的線速度，即電機(jī)的轉(zhuǎn)速關(guān)聯(lián)性很大。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子，

一種永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子，包括：轉(zhuǎn)子組件，所述轉(zhuǎn)子組件沿圓周面上開設(shè)有2n個(gè)內(nèi)置的矩形槽，其中n＝1，2，3……；所述矩形槽呈“一”字形狀，所述矩形槽內(nèi)布置有多塊與其形狀相同的永磁體，所述矩形槽的外側(cè)兩端開設(shè)有隔磁邊，矩形槽中心對(duì)稱線處開設(shè)有隔磁橋，所述的隔磁邊寬度為H_Barrier，所述隔磁橋?qū)挾葹镠_Bridge。

可選地，所述隔磁橋數(shù)量為0時(shí)，隔磁邊寬度H_Barrier與轉(zhuǎn)子線速度V_tip的之間的關(guān)系為0.4V_tip≤H_Barrier≤0.6V_tip。

可選地，隔磁邊寬度H_Barrier＝0.5V_tip。

可選地，隔磁邊寬度H_Barrier＝0.6V_tip。

可選地，所述隔磁橋數(shù)量為1時(shí)，所述隔磁邊寬度H_Barrier與轉(zhuǎn)子線速度V_tip的之間的關(guān)系為0.2V_tip≤H_Barrier≤0.5V_tip，所述隔磁橋?qū)挾葹镠_Bridge與轉(zhuǎn)子線速度V_tip的之間的關(guān)系為0.15V_tip≤H_Bridge≤0.41V_tip。

可選地，隔磁邊寬度H_Barrier＝0.3V_tip，隔磁橋?qū)挾菻_Bridge＝0.3V_tip。