[發明專利]一種適用于HIT電池的ITO膜的制備方法

有效

• 申請號: 202011607412.3
• 申請日: 2020-12-30
• 公開（公告）號: CN112853309B
• 公開（公告）日: 2023-03-31
• 發明（設計）人: 請求不公布姓名
• 申請（專利權）人: 蘇州聯諾太陽能科技有限公司
• 主分類號: C23C16/02
• 分類號: C23C16/02;C23C16/24;C23C14/02;C23C14/08;C23C14/34;C23C14/58;H01L31/0224;H01L31/18
• 代理公司: 江蘇瑞途律師事務所 32346
• 代理人: 韋超峰

本發明公開了一種適用于HIT電池的ITO膜的制備方法，屬于鍍膜工藝技術領域。本發明的方法為：先對硅片進行處理得到處理硅片，具體地，先對硅片進行制絨和清洗得到制絨后的n型單晶硅片；再采用化學氣相沉積法對制絨后的n型單晶硅片的表面進行沉積得到處理硅片；然后利用第一離子源對處理硅片進行預處理；之后利用濺射電源和第二離子源對預處理后的處理硅片進行鍍膜得到鍍膜硅片，最后利用第三離子源對鍍膜硅片進行處理。本發明克服了現有技術中ITO鍍膜效率低且質量較差的不足，提供了一種適用于HIT電池的ITO膜的制備方法，通過離子源可以提高ITO膜的鍍膜速度，并且可以提高ITO膜的晶化率，進而提高了ITO膜的鍍膜質量。

技術領域

本發明屬于鍍膜工藝技術領域，更具體地說，涉及一種適用于HIT電池的ITO膜的制備方法。

背景技術

ITO導電膜玻璃，即氧化銦錫(Indium-Tin Oxide)透明導電膜玻璃，70年代初研制成功的一種新型材料，是制造液品平板顯示器(LCD)的主要材料。在高度凈化的廠房環境中，利用平面磁控技術和ITO導電膜玻璃生產線，在超薄玻璃上濺射氧化銦錫導電薄膜鍍層并經高溫退火處理得到ITO導電膜玻璃。ITO導電膜玻璃產品廣泛地用于液晶顯示器(LCD)、太陽能電池、微電子ITO導電膜玻璃、光電子和各種光學領域。

ITO導電膜的主要參數有：表面電阻、表面電阻的均勻性、透光率、熱穩定性、加熱收縮率、加熱卷曲等。其中光透過率主要與ITO膜所用的基底材料和ITO膜的表面電阻有關。在基底材料相同的情況下，ITO膜的表面電阻越小，ITO膜層的厚度越大，光透過率相應的會有一定程度的減小。透明導電氧化膜TCO中，以摻Sn的In₂O₃(ITO)膜的透過率最高和導電性能最好，而且容易在酸液中蝕刻出細微的圖形，其中透光率達90％以上。ITO中其透光率和阻值分別由In₂O₃與SnO₂之比例來控制，通常SnO₂:In₂O₃＝1:9。

ITO透明導電膜的鍍制可以采用多種方法，有磁控濺射法、真空蒸鍍法、溶膠一凝膠法、化學氣相沉積法、噴涂法等工藝。目前采用較廣的是直流磁控濺射法，該工藝具有膜層厚度均勻、重復性好、穩定、可鍍大面積基片、可在低溫下鍍制等優點，適用于大規模工業化生產；但該工藝對設備的真空要求較高，膜的光電性能對各種濺射參數的變化比較敏感，因此工藝調節比較困難。此外，現有技術在制備ITO膜的過程中存在ITO鍍膜效率低的問題，而且制備的ITO膜質量也不高。

綜上所述，如何提高ITO膜的鍍膜效率以及鍍膜質量，是現有技術亟需解決的技術問題。

發明內容

1.要解決的問題

本發明克服了現有技術中ITO鍍膜效率低且質量較差的不足，提供了一種適用于HIT電池的ITO膜的制備方法，通過離子源可以提高ITO膜的鍍膜速度，并且可以提高ITO膜的晶化率，進而提高了ITO膜的鍍膜質量。

2.技術方案

為了解決上述問題，本發明所采用的技術方案如下：

本發明的一種適用于HIT電池的ITO膜的制備方法，先對硅片進行處理得到處理硅片；再利用濺射電源和第二離子源對處理硅片進行鍍膜得到鍍膜硅片。

作為本發明更進一步地改進，對硅片進行處理的具體過程為：先對硅片進行制絨和清洗得到制絨后的n型單晶硅片；再采用化學氣相沉積法對制絨后的n型單晶硅片的表面進行沉積得到處理硅片。

作為本發明更進一步地改進，在濺射電源和第二離子源對處理硅片進行鍍膜之前包括：利用第一離子源對處理硅片進行預處理。

作為本發明更進一步地改進，對處理硅片進行鍍膜的具體過程為：先打開濺射電源，再打開第二離子源，而后利用濺射電源和第二離子源同時對處理硅片的上表面和下表面分別沉積得到ITO薄膜。