[發(fā)明專利]磁屏蔽裝置的現(xiàn)場(chǎng)校準(zhǔn)裝置及其屏蔽效能現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011605686.9 | 申請(qǐng)日: | 2020-12-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112816928A | 公開(公告)日: | 2021-05-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 柳占新;周昌劍;趙文純;張海波;張學(xué)斌 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)船舶重工集團(tuán)有限公司第七一0研究所 |
| 主分類號(hào): | G01R35/00 | 分類號(hào): | G01R35/00 |
| 代理公司: | 北京理工大學(xué)專利中心 11120 | 代理人: | 高會(huì)允;仇蕾安 |
| 地址: | 443003 湖*** | 國(guó)省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 屏蔽 裝置 現(xiàn)場(chǎng) 校準(zhǔn) 及其 效能 測(cè)試 方法 | ||
1.一種磁屏蔽裝置現(xiàn)場(chǎng)校準(zhǔn)裝置,其特征在于,包括磁場(chǎng)發(fā)射單元和磁場(chǎng)測(cè)量單元;
所述磁場(chǎng)發(fā)射單元包括磁場(chǎng)線圈和磁場(chǎng)激勵(lì)電流源;所述磁場(chǎng)線圈為拆分式磁場(chǎng)線圈;所述磁場(chǎng)激勵(lì)電源連接磁場(chǎng)線圈,用于產(chǎn)生交直流電流作為所述磁場(chǎng)線圈的電流激勵(lì);
所述磁場(chǎng)測(cè)量單元包括磁傳感器以及數(shù)據(jù)采集器;所述磁傳感器用于測(cè)量所述磁場(chǎng)線圈在電流激勵(lì)下產(chǎn)生的磁場(chǎng),并輸出磁場(chǎng)數(shù)據(jù);所述數(shù)據(jù)采集器用于接收磁傳感器輸出的磁場(chǎng)數(shù)據(jù)。
2.如權(quán)利要求1所述的現(xiàn)場(chǎng)校準(zhǔn)裝置,其特征在于,所述拆分式磁場(chǎng)線圈包括主線圈繞組和補(bǔ)償線圈繞組;
所述主線圈繞組與所述補(bǔ)償線圈繞組以同樣的纏繞方式纏繞成線圈繞組,主線圈繞組和補(bǔ)償線圈繞組均繞制在線圈框架上,線圈框架由上下兩個(gè)半圓形框架組成,兩個(gè)半圓形框架通過插接口連接。
3.如權(quán)利要求1所述的現(xiàn)場(chǎng)校準(zhǔn)裝置,其特征在于,標(biāo)準(zhǔn)磁場(chǎng)激勵(lì)電流源的輸出電流的誤差在標(biāo)準(zhǔn)范圍之內(nèi)。
4.如權(quán)利要求1所述的現(xiàn)場(chǎng)校準(zhǔn)裝置,其特征在于,低噪聲寬頻磁傳感器的噪聲范圍在6皮特內(nèi),頻率在10kHZ以下。
5.一種磁屏蔽裝置屏蔽效能現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試方法,其特征在于,針對(duì)如權(quán)利要求1-4任一所述的磁屏蔽裝置,其測(cè)試方法為:
步驟一、按照如權(quán)利要求1所述的裝置結(jié)構(gòu)設(shè)置磁屏蔽裝置的現(xiàn)場(chǎng)校準(zhǔn)裝置,測(cè)試現(xiàn)場(chǎng)環(huán)境下的的磁屏蔽裝置內(nèi)外的背景磁場(chǎng)B0內(nèi)和B0外;
步驟二、計(jì)算磁場(chǎng)線圈在電流激勵(lì)下產(chǎn)生的標(biāo)準(zhǔn)磁場(chǎng)B;
步驟三、在不設(shè)置磁屏蔽裝置的狀態(tài)下,測(cè)量得到所述磁場(chǎng)測(cè)量單元接收的磁場(chǎng)值為B1;
步驟四、將所述磁屏蔽裝置設(shè)置于所述磁場(chǎng)線圈中心工作區(qū)內(nèi),測(cè)量得到所述磁場(chǎng)測(cè)量單元接收的磁場(chǎng)值為B2;
步驟五、計(jì)算所述磁屏蔽裝置的屏蔽效能S。
6.如權(quán)利要求5所述的一種磁屏蔽裝置屏蔽效能現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試方法,其特征在于,計(jì)算磁場(chǎng)線圈在電流激勵(lì)下產(chǎn)生的標(biāo)準(zhǔn)磁場(chǎng)B的方法為:
B=KBI
其中,KB為所述磁場(chǎng)線圈的線圈常數(shù),I為通過所述磁場(chǎng)線圈繞組的電流大小。
7.如權(quán)利要求5所述的一種磁屏蔽裝置屏蔽效能現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試方法,其特征在于,計(jì)算所述磁屏蔽裝置的屏蔽效能S的方法為:
其中,B0外為所述磁屏蔽裝置外的背景磁場(chǎng);B0內(nèi)為所述磁屏蔽裝置內(nèi)的背景磁場(chǎng)。
8.如權(quán)利要求5所述的一種磁屏蔽裝置屏蔽效能現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試方法,其特征在于,產(chǎn)生的所述標(biāo)準(zhǔn)磁場(chǎng)為直流磁場(chǎng)或交流磁場(chǎng)。
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