[發明專利]復合襯底、復合薄膜及其制備方法，及射頻聲表面波器件

在審

• 申請號: 202011605562.0
• 申請日: 2020-12-29
• 公開（公告）號: CN112671363A
• 公開（公告）日: 2021-04-16
• 發明（設計）人: 李真宇;楊超;李洋洋;張秀全;劉阿龍;韓智勇
• 申請（專利權）人: 濟南晶正電子科技有限公司
• 主分類號: H03H3/02
• 分類號: H03H3/02;H03H9/02;H03H9/17
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理有限公司 11363
• 代理人: 逯長明;許偉群

1.一種復合襯底，其特征在于，所述復合襯底從下至上依次包括襯底層(110)和多晶層(120)；所述多晶層(120)包括晶粒漸變層(1201)和晶粒均勻層(1202)；

其中，所述晶粒漸變層(1201)中的晶粒呈柱狀結構，所述柱狀結構的晶粒由所述襯底層(110)向所述晶粒均勻層(1202)方向逐漸變大。

2.根據權利要求1所述的復合襯底，其特征在于，所述晶粒漸變層(1201)中柱狀結構晶粒垂直于所述襯底層(110)方向的高度和平行于所述襯底層(110)方向的寬度的比值大于2，且平行于所述襯底層(110)的方向的寬度小于200nm。

3.根據權利要求1所述的復合襯底，其特征在于，所述晶粒漸變層(1201)的厚度范圍為10nm-500nm。

4.根據權利要求1所述的復合襯底，其特征在于，所述多晶層(120)為多晶硅或多晶鍺。

5.一種復合薄膜，其特征在于，所述復合薄膜從下到上依次包括如權利要求1-4任一項所述的復合襯底、隔離層(130)以及功能薄膜層(140)；其中，所述隔離層(130)做平坦化處理，且與所述功能薄膜層(140)鍵合。

6.根據權利要求5所述的復合薄膜，其特征在于，所述隔離層(130)為二氧化硅、氧化鈦、氧化鍺、氮化硅以及氮氧化硅中的一種。

7.根據權利要求5所述的復合薄膜，其特征在于，所述功能薄膜層(140)為鈮酸鋰晶體、鉭酸鋰晶體、磷酸鈦氧銣晶體、磷酸鈦氧鉀晶體、硅晶體、鍺晶體或砷化鎵晶體。

8.一種射頻聲表面波器件，其特征在于，包括如權利要求5-7任一項所述的復合薄膜。

9.一種復合薄膜的制備方法，其特征在于，包括：

對襯底層進行清洗，獲得具有潔凈表面的襯底層；

將具有潔凈表面的襯底層置于沉積爐中，加熱至第一溫度，所述第一溫度低于柱狀結構晶體的生長溫度；

在沉積爐中通入氣體并繼續提高溫度至第二溫度，獲得多晶層；

在所述多晶層上生長隔離層，對所述隔離層進行平坦化處理；

在所述隔離層上制備功能薄膜層，得到復合薄膜。

10.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述氣體為SiH₄或SiH₄、H₂的混合氣體。

11.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述第一溫度的范圍為500℃-600℃，所述第二溫度的范圍為610℃-640℃。

12.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于，利用離子注入法結合鍵合分離法，或者，利用鍵合法結合研磨拋光法，在所述隔離層上制備所述功能薄膜層。