[發明專利]用于紫外線光刻的玻璃陶瓷及其制造方法在審
| 申請號: | 202011604055.5 | 申請日: | 2014-12-19 |
| 公開(公告)號: | CN112759278A | 公開(公告)日: | 2021-05-07 |
| 發明(設計)人: | 拉爾夫·霍夫曼;馬耶德·A·福阿德;卡拉·比斯利 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | C03C17/30 | 分類號: | C03C17/30;C03C10/00;C03C17/22;C03C17/245;C23C16/34;C23C16/40;G03F1/22;G03F7/20;H01L21/033 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國;趙靜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 紫外線 光刻 玻璃 陶瓷 及其 制造 方法 | ||
1.一種制造極紫外線掩模的方法,包含以下步驟:
沉積包括硅、氧和碳的平坦層于所述玻璃陶瓷基板上;及
通過對所述平坦層進行UV或熱處理形成硬化層,其中所述平坦層的所述UV或熱處理降低了產生會造成發生缺陷的顆粒的風險。
2.如權利要求1所述的方法,其中沉積所述平坦層包括形成具有低于0.6納米均方根的表面粗糙度的所述平坦層。
3.如權利要求1所述的方法,其中所述玻璃陶瓷基板包括鋰鋁硅酸鹽。
4.一種集成式極紫外線掩模制造系統,包含:
真空腔室,所述真空腔室用以放置玻璃陶瓷基板于真空中;
第一沉積系統,所述第一沉積系統用以沉積包括硅、氧和碳的平坦層于所述玻璃陶瓷基板上方;
第二沉積系統,所述第二沉積系統用以沉積多層疊層于所述平坦層上,而無需將所述玻璃陶瓷基板從所述真空移除;
UV或熱處理系統,用以從所述平坦層形成硬化層,其中所述平坦層的UV或熱處理降低了產生會造成發生缺陷的顆粒的風險。
5.如權利要求4所述的系統,進一步包含:載具操縱系統,所述載具操縱系統用以將所述玻璃陶瓷基板定位在所述真空腔室內。
6.如權利要求4所述的系統,其中所述第一沉積系統用以沉積具有低于0.6納米均方根的表面粗糙度的所述平坦層。
7.一種極紫外線光刻掩模,包含:
玻璃陶瓷基板;
硬化層,所述硬化層具有100埃至10微米的層厚度,其中所述硬化層是通過硬化所述玻璃陶瓷基板上的包括硅、氧和碳的平坦層形成的,
其中通過對所述平坦層進行UV或熱處理來硬化所述硬化層,其中所述平坦層的所述UV或熱處理降低了產生會造成發生缺陷的顆粒的風險。
8.如權利要求7所述的極紫外線光刻掩模,其中所述玻璃陶瓷基板包括鋰鋁硅酸鹽。
9.如權利要求7所述的極紫外線光刻掩模,其中所述硬化層包括氧化硅。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于應用材料公司,未經應用材料公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011604055.5/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





