[發明專利]顯示面板在審
| 申請號: | 202011602182.1 | 申請日: | 2020-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN113113448A | 公開(公告)日: | 2021-07-13 |
| 發明(設計)人: | 河載興;金元鐘;金利受;金鐘佑;宋昌泳;柳在鎮;鄭雨錫;朱容贊 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京鉦霖知識產權代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艷;陳俊 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 | ||
1.一種顯示面板,其中,所述顯示面板包括:
基體基底,像素區域和與所述像素區域相鄰的外圍區域限定在所述基體基底中;
發光元件,定位在所述基體基底上以與所述像素區域重疊,并且配置為產生第一光;
光控制層,在所述發光元件上;
濾色器層,在所述光控制層上;以及
覆蓋層,至少接觸所述光控制層并且包括氮氧化硅,
其中,所述覆蓋層含有34at%至41at%的氧和18at%至25at%的氮。
2.根據權利要求1所述的顯示面板,其中,所述覆蓋層包括在所述發光元件和所述濾色器層之間的第一覆蓋層。
3.根據權利要求2所述的顯示面板,其中,所述覆蓋層還包括在所述發光元件和所述光控制層之間的第二覆蓋層。
4.根據權利要求1所述的顯示面板,其中,所述覆蓋層具有1.6至1.7的折射率。
5.根據權利要求1所述的顯示面板,其中,所述覆蓋層包括第一層和具有比所述第一層的密度大的密度的第二層。
6.根據權利要求1所述的顯示面板,其中,所述光控制層包括將所述第一光轉換成第二光的第一光轉換部、將所述第一光轉換成第三光的第二光轉換部和透射所述第一光的透射部。
7.根據權利要求6所述的顯示面板,其中,所述濾色器層包括:
第一濾色器,在平面上與所述第一光轉換部重疊以透射所述第二光;
第二濾色器,在平面上與所述第二光轉換部重疊以透射所述第三光;以及
第三濾色器,在平面上與所述透射部重疊以透射所述第一光。
8.根據權利要求6所述的顯示面板,其中,所述透射部的高度大于所述第一光轉換部的高度和所述第二光轉換部的高度。
9.根據權利要求6所述的顯示面板,其中,所述光控制層還包括分別定位在所述第一光轉換部、所述第二光轉換部和所述透射部之間的分隔墻。
10.根據權利要求6所述的顯示面板,其中,所述第一光是410nm至480nm的波長的光,所述第二光是500nm至570nm的波長的光,并且所述第三光是625nm至675nm的波長的光。
11.根據權利要求1所述的顯示面板,其中,所述光控制層包括多個量子點。
12.根據權利要求1所述的顯示面板,其中,所述顯示面板還包括在所述發光元件上并且在最外部分處包括無機層的封裝構件,
其中,所述光控制層接觸所述無機層。
13.根據權利要求12所述的顯示面板,其中,所述顯示面板還包括在所述封裝構件和所述光控制層之間的填充層。
14.根據權利要求1所述的顯示面板,其中,所述覆蓋層接觸所述光控制層的上表面和下表面。
15.根據權利要求1所述的顯示面板,其中,所述顯示面板還包括:像素限定層,在所述基體基底上并且包括限定在所述像素限定層中的與所述像素區域對應的多個開口,并且
所述發光元件定位在所述多個開口中。
16.一種顯示面板,其中,所述顯示面板包括:
基體基底,像素區域和與所述像素區域相鄰的外圍區域限定在所述基體基底中;
發光元件,定位在所述基體基底上以與所述像素區域重疊;
光控制層,在所述發光元件上;
濾色器層,在所述光控制層上;以及
第一覆蓋層,在所述光控制層和所述濾色器層之間,并且包括氮氧化硅,
其中,所述第一覆蓋層具有1.6至1.7的折射率。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





