[發明專利]基于衍射光柵列陣的窄線寬外腔半導體激光線陣

在審

• 申請號: 202011601590.5
• 申請日: 2020-12-30
• 公開（公告）號: CN112600068A
• 公開（公告）日: 2021-04-02
• 發明（設計）人: 楊明來
• 申請（專利權）人: 浙江長芯光電科技有限公司
• 主分類號: H01S5/026
• 分類號: H01S5/026;H01S5/00
• 代理公司: 杭州潤淶知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 33358
• 代理人: 黎慧華

1.基于衍射光柵列陣的窄線寬外腔半導體激光線陣，其特征在于，包括半導體激光線陣(1)，所述半導體激光線陣(1)由增益波導(101)、快軸準直鏡(102)和波導光柵(103)組成，沿半導體激光線陣激光輸出方向依次設有小透鏡(2)、半波片(3)、大透鏡(4)、衍射光柵列陣(5)，所述小透鏡(2)距離半導體激光線陣(1)的距離為小透鏡(2)的焦距f₁，所述小透鏡(2)和大透鏡(4)共焦點放置組成倒置望遠系統，所述大透鏡(4)距離衍射光柵列陣(5)為大透鏡(4)的焦距f₂，所述半波片(3)位于小透鏡(2)與大透鏡(4)焦點處，所述衍射光柵列陣(5)由不同旋轉角度的衍射光柵單元(501)膠合而成，每個衍射光柵單元(501)均為利特羅結構放置，所述半導體激光線陣(1)的一個或多個發光單元入射到對應的一個衍射光柵單元(501)上，調節每個衍射光柵單元(501)，使光軸和離軸發光單元的光束a、b入射到衍射光柵單元(501)的入射角θ、Φ相等或很相近。

2.根據權利要求1所述基于衍射光柵列陣的窄線寬外腔半導體激光線陣，其特征在于，所述小透鏡(2)和大透鏡(4)都為凸透鏡，所述大透鏡(4)的焦距是小透鏡(2)的焦距的3-10倍。

3.根據權利要求1所述基于衍射光柵列陣的窄線寬外腔半導體激光線陣，其特征在于，所述小透鏡(2)、半波片(3)、大透鏡(4)都鍍有工作波長的增透膜，所述衍射光柵列陣(5)中每個衍射光柵單元(501)均鍍有工作波長的高反膜。

4.根據權利要求1所述基于衍射光柵列陣的窄線寬外腔半導體激光線陣，其特征在于，所述快軸準直鏡(102)是采用等離子耦合干法刻蝕和高質量光學介質膜沉積技術制備，通過合理選取刻蝕工藝參數制備出曲面側壁溝槽，在溝槽中沉積光學介質材料制備而成。

5.根據權利要求1所述基于衍射光柵列陣的窄線寬外腔半導體激光線陣，其特征在于，所述波導光柵(103)是采用高精度掩膜制備和等離子耦合干法刻蝕技術制備，通過合理選取刻蝕工藝參數制備而成。