[發(fā)明專利]一種射頻線性功率放大器的寬帶匹配電路

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011601291.1
• 申請(qǐng)日: 2020-12-30
• 公開（公告）號(hào): CN112671356A
• 公開（公告）日: 2021-04-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蘇杰;李孫華;徐祎喆;朱勇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京百瑞互聯(lián)技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H03F1/56
• 分類號(hào): H03F1/56;H03F1/48
• 代理公司: 北京國(guó)科程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11862
• 代理人: 曹曉斐

1.一種射頻線性功率放大器的寬帶匹配電路，其特征在于，包括：

至少一個(gè)有耗放大模塊以及高階LC匹配模塊；

其中，所述有耗放大模塊用于對(duì)射頻信號(hào)在衰減一部分低頻段的增益的基礎(chǔ)上進(jìn)行放大，所述高階LC匹配模塊用于以高自由度的方式提高功率放大器的帶寬。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻線性功率放大器的寬帶匹配電路，其特征在于，

所述有耗放大模塊包括放大電路，反饋電路以及衰減電路；

所述放大電路包括一個(gè)MOS管，所述反饋電路包括至少一個(gè)反饋電阻和至少一個(gè)反饋電容，所述衰減電路包括至少一個(gè)衰減電阻、至少一個(gè)衰減電容以及靜態(tài)偏置電壓源。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻線性功率放大器的寬帶匹配電路，其特征在于，所述高階LC匹配模塊包括：

第一匹配電容，第二匹配電容以及變壓器。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的射頻線性功率放大器的寬帶匹配電路，其特征在于，

所述衰減電路中，所述靜態(tài)偏置電壓源負(fù)極接地，所述靜態(tài)偏置電壓源正極通過所述至少一個(gè)衰減電阻連接所述至少一個(gè)衰減電容；

所述MOS管的柵極與射頻信號(hào)輸入端以及衰減電路的所述至少一個(gè)衰減電容連接；

所述MOS管的源級(jí)接地；

所述MOS管的漏極依次通過所述至少一個(gè)反饋電阻及所述至少一個(gè)反饋電容與所述MOS管的柵極連接，并且所述MOS管的漏極與所述高階LC匹配模塊連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的射頻線性功率放大器的寬帶匹配電路，其特征在于，

所述變壓器的初級(jí)線圈側(cè)的兩端通過第一匹配電容相連接，所述次級(jí)線圈側(cè)的兩段通過第二匹配電容相連接，所述初級(jí)線圈側(cè)的兩端中的任一端與所述MOS管的漏極連接。

6.如權(quán)利要求1所述的射頻線性功率放大器的寬帶匹配電路，其特征在于，

利用所述第一匹配電容的容值、所述第二匹配電容的容值和所述變壓器的自感值得到所述射頻線性功率放大器的寬帶匹配電路輸出射頻信號(hào)的頻率范圍。

7.如權(quán)利要求1所述的射頻線性功率放大器的寬帶匹配電路，其特征在于，

所述衰減電路衰減低頻頻段，且衰減所述低頻頻段的范圍與所述反饋電阻的阻值和反饋電容容值成反比。

8.如權(quán)利要求1所述的射頻線性功率放大器的寬帶匹配電路，其特征在于，

高階LC匹配網(wǎng)絡(luò)輸出的射頻信號(hào)的頻率范圍與所述反饋電阻的阻值和所述反饋電容容值成反比。