[發明專利]一種橫向調制KDP型電光Q開關

有效

• 申請號: 202011598774.0
• 申請日: 2020-12-30
• 公開（公告）號: CN112421372B
• 公開（公告）日: 2022-03-18
• 發明（設計）人: 商繼芳;郝好山;楊金鳳;陳鈴;蘇麗霞
• 申請（專利權）人: 河南工程學院
• 主分類號: H01S3/115
• 分類號: H01S3/115
• 代理公司: 鄭州優盾知識產權代理有限公司 41125
• 代理人: 王紅培

1.一種橫向調制KDP型電光Q開關，其特征在于：將兩塊相同的KDP型晶體組合，所述KDP型晶體切型為，其中x、z代表KDP型晶體的各晶軸，l、b分別代表切割晶體的長度和寬度方向，角度θ的取值范圍為，所述KDP型晶體的長度方向為通光方向、厚度方向為加電場方向；

所述兩塊KDP型晶體按照厚度或寬度方向相互垂直、長度方向取向一致進行組合，通過機械夾具或者光學膠合劑進行固定。

2.根據權利要求1所述的橫向調制KDP型電光Q開關，其特征在于：所述KDP型晶體的長度方向的兩端面拋光并鍍有激光增透膜，厚度方向的兩晶面鍍有金屬膜。

3.根據權利要求1所述的橫向調制KDP型電光Q開關，其特征在于：所述KDP型晶體為KH₂PO₄ (KDP)晶體、KD₂PO₄ (DKDP)晶體或NH₄H₂PO₄ (ADP)晶體中的任意一種。

4.根據權利要求1所述的橫向調制KDP型電光Q開關，其特征在于：所述電光Q開關應用于激光器中，在激光器中應用時，通光面與激光傳播方向垂直，晶體厚度或寬度方向與激光器中偏振鏡的透振方向成45°，兩塊晶體上所加電壓極性相反。

5.根據權利要求1所述的橫向調制KDP型電光Q開關，其特征在于：將兩塊KDP型晶體按照相同方位放置，即厚度、寬度、長度方向分別平行，然后在兩塊晶體之間放置應用波長的1/2波片，1/2波片的長軸和短軸與晶體的厚度或寬度方向成45°；在激光諧振腔中應用時，通光面和激光傳播方向垂直，晶體厚度或寬度方向和偏振鏡的透振方向成45°，兩塊晶體上所加電壓極性相反。