[發(fā)明專(zhuān)利]導(dǎo)電膜及含其的器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011597517.5
• 申請(qǐng)日: 2020-12-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112820443B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-04-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 顧辛艷;艾文玲
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 納晶科技股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01B5/00
• 分類(lèi)號(hào): H01B5/00;H01B5/14
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種導(dǎo)電膜，其特征在于，包括第一導(dǎo)電材料和第二導(dǎo)電材料，所述第一導(dǎo)電材料包括第一導(dǎo)電體與包覆在所述第一導(dǎo)電體表面的第一配體，所述第二導(dǎo)電材料包括第二導(dǎo)電體與包覆在所述第二導(dǎo)電體表面的第二配體，所述第一配體與所述第二配體的親疏性相斥。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電膜，其特征在于，所述第一導(dǎo)電體和所述第二導(dǎo)電體為金屬納米線(xiàn)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的導(dǎo)電膜，其特征在于，所述第一導(dǎo)電體和所述第二導(dǎo)電體為銀納米線(xiàn)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電膜，其特征在于，所述第一導(dǎo)電材料和所述第二導(dǎo)電材料的重量比為1:10～10:1。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的導(dǎo)電膜，其特征在于，所述第一導(dǎo)電材料和所述第二導(dǎo)電材料的重量比為1:3～3:1。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電膜，其特征在于，所述第一配體的質(zhì)量占所述第一導(dǎo)電材料的總質(zhì)量的0.1％～10％；所述第二配體的質(zhì)量占所述第二導(dǎo)電材料的總質(zhì)量的0.1％～10％。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的導(dǎo)電膜，其特征在于，所述第一配體的質(zhì)量占所述第一導(dǎo)電材料的總質(zhì)量的0.5％～5％；所述第二配體的質(zhì)量占所述第二導(dǎo)電材料的總質(zhì)量的0.5％～5％。

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的導(dǎo)電膜，其特征在于，所述銀納米線(xiàn)的直徑為10～100nm，長(zhǎng)度為10～100μm。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的導(dǎo)電膜，其特征在于，所述銀納米線(xiàn)的直徑為10～40nm，長(zhǎng)度為20～40μm。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電膜，其特征在于，所述第一配體和所述第二配體分別獨(dú)立地選自納米粒子配體、有機(jī)小分子配體、高分子配體中的任一種或多種。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的導(dǎo)電膜，其特征在于，所述納米粒子配體為無(wú)機(jī)納米粒子配體或有機(jī)納米粒子配體，所述無(wú)機(jī)納米粒子配體選自無(wú)機(jī)鹽、金屬氧化物顆粒、金屬顆粒和SiO₂納米微球中的至少一種，所述有機(jī)納米粒子配體選自膠束微球和聚合物微球中的至少一種。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的導(dǎo)電膜，其特征在于，所述有機(jī)小分子配體的結(jié)構(gòu)表達(dá)式為X-Y，其中X用于與所述第一導(dǎo)電體或所述第二導(dǎo)電體表面配位，Y的結(jié)構(gòu)中包括親水性基團(tuán)或疏水性基團(tuán)，所述親水性基團(tuán)選自羥基、羧基、醛基、氨基、胺基、磺酸基和亞硫酸基中的至少一種，所述疏水性基團(tuán)選自飽和脂肪烴基、不飽和脂肪烴基、鹵素、芳香烴基、酯基和硝基中的至少一種。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的導(dǎo)電膜，其特征在于，所述X選自巰基、氨基、羧基、磺酸基或磷酸基。

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的導(dǎo)電膜，其特征在于，所述高分子配體選自PVP、PEO、PEG、PIB、PVK、PVB、PSS、環(huán)烯烴共聚物和含氟樹(shù)脂中的一種或多種。

15.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的導(dǎo)電膜，其特征在于，所述導(dǎo)電膜的方阻≤500Ω/□。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的導(dǎo)電膜，其特征在于，所述導(dǎo)電膜的方阻≤100Ω/□。

17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的導(dǎo)電膜，其特征在于，所述導(dǎo)電膜在可見(jiàn)光范圍的透過(guò)率≥70％。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的導(dǎo)電膜，其特征在于，所述導(dǎo)電膜在可見(jiàn)光范圍的透過(guò)率≥85％。

19.一種包括權(quán)利要求1至18任一所述的導(dǎo)電膜的器件。