[發明專利]低功耗靜態隨機存儲器單元以及存儲器在審
| 申請號： | 202011595923.8 | 申請日： | 2020-12-29 |
| 公開（公告）號： | CN112634957A | 公開（公告）日： | 2021-04-09 |
| 發明（設計）人： | 陳靜;呂迎歡;謝甜甜;王青;葛浩 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海微系統與信息技術研究所;上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | G11C11/412 | 分類號： | G11C11/412 |
| 代理公司： | 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孫佳胤 |
| 地址： | 200050 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 功耗 靜態 隨機 存儲器 單元 以及 | ||
【權利要求書】：
1.一種低功耗靜態隨機存儲器單元，包括第一N型晶體管和第一P型晶體管組成的第一CMOS反相器，由第二N型晶體管和第二P型晶體管組成的第二CMOS反相器，第一和第二CMOS反相器對置互鎖設置，第一和第二CMOS反相器的輸出端分別連接第三N型晶體管和第四N型晶體管的源/漏極，其特征在于，
所述第一和第二CMOS反相器的接地端分別通過第五N型晶體管和第六N型晶體管接地，所述第五N型晶體管的柵極接第一N型晶體管柵極，所述第六N型晶體管的柵極接第二N型晶體管柵極。
2.根據權利要求1所述的低功耗靜態隨機存儲器單元，其特征在于，所述第一至第二P型晶體管、第一至第六N型晶體管均為全耗盡SOI結構的晶體管。
3.根據權利要求2所述的低功耗靜態隨機存儲器單元，其特征在于，所述全耗盡SOI結構的晶體管均設置背柵，所述背柵設置為與柵極等電位連接。
4.一種低功耗靜態隨機存儲器，包括權利要求1-3中任一所述的靜態隨機存儲器單元。
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