[發明專利]基于一次曝光的光刻方法在審
| 申請號： | 202011595149.0 | 申請日： | 2020-12-29 |
| 公開（公告）號： | CN112666798A | 公開（公告）日： | 2021-04-16 |
| 發明（設計）人： | 任軒達;陳超 | 申請（專利權）人： | 廣州粵芯半導體技術有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/20 | 分類號： | G03F7/20;G03F7/09 |
| 代理公司： | 上海思捷知識產權代理有限公司 31295 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 510000 廣東省廣州*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 一次 曝光 光刻 方法 | ||
1.一種基于一次曝光的光刻方法，其特征在于，包括：
提供襯底；
在所述襯底上涂覆光刻膠；
使用至少兩種不同波長的光組合在一起對涂覆的光刻膠進行曝光；
對曝光后的光刻膠進行顯影。
2.如權利要求1所述的基于一次曝光的光刻方法，其特征在于，所述襯底包括晶圓。
3.如權利要求1所述的基于一次曝光的光刻方法，其特征在于，所述光刻膠的厚度大于或等于6μm。
4.如權利要求1所述的基于一次曝光的光刻方法，其特征在于，使用兩種不同波長的光組合在一起對涂覆的光刻膠進行曝光。
5.如權利要求4所述的基于一次曝光的光刻方法，其特征在于，兩種不同波長的光為第一波長的光和第二波長的光，所述第一波長小于所述第二波長。
6.如權利要求5所述的基于一次曝光的光刻方法，其特征在于，所述第一波長的光和所述第二波長的光通過聚光鏡組合在一起。
7.如權利要求6所述的基于一次曝光的光刻方法，其特征在于，所述第一波長的光對第一厚度的光刻膠進行曝光，所述第二波長的光對第二厚度的光刻膠進行曝光。
8.如權利要求1所述的基于一次曝光的光刻方法，其特征在于，使用多種不同波長的光組合在一起對涂覆的光刻膠進行曝光。
9.如權利要求8所述的基于一次曝光的光刻方法，其特征在于，多種波長的光通過聚光鏡組合在一起。
10.如權利要求8所述的基于一次曝光的光刻方法，其特征在于，多種波長的光分別對不同厚度的光刻膠進行曝光。
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