[發明專利]高壓兆伏級組合式低電感中儲電容器及電磁脈沖模擬器

有效

• 申請號: 202011594881.6
• 申請日: 2020-12-29
• 公開（公告）號: CN112750624B
• 公開（公告）日: 2022-03-29
• 發明（設計）人: 王海洋;吳偉;何小平;陳偉;謝霖燊;孫楚昱;肖晶;程樂
• 申請（專利權）人: 西北核技術研究所
• 主分類號: H01G4/38
• 分類號: H01G4/38;H01G2/22;H01G2/10;H02M9/04
• 代理公司: 西安智邦專利商標代理有限公司 61211
• 代理人: 唐沛

1.一種高壓兆伏級組合式低電感中儲電容器，其特征在于：

包括高壓極連接板、低壓極連接板以及M條中儲電容臂；

高壓極連接板和低壓極連接板平行設置；

M條中儲電容臂位于高壓極連接板和低壓極連接板之間，且M條中儲電容臂沿圓周方向均勻分布；M≥2；

每條中儲電容臂的高壓端均與高壓極連接板連接，每條中儲電容臂的低壓端均與低壓極連接板連接；

中儲電容臂包括低壓電極屏蔽板、磁壓式低壓電極、絕緣支撐環、磁壓式中間電極、磁壓式高壓電極、高壓電極屏蔽板以及絕緣筒；

絕緣筒的上端安裝高壓電極屏蔽板，下端安裝低壓電極屏蔽板；

低壓電極屏蔽板上表面設置磁壓式低壓電極；

磁壓式低壓電極和磁壓式高壓電極之間設置有多個磁壓式中間電極；

其中，最下層的磁壓式中間電極下表面與磁壓式低壓電極的上表面之間、每個相鄰兩個磁壓式中間電極之間、以及最上層的磁壓式中間電極的上表面與磁壓式高壓電極的下表面之間均設置絕緣支撐結構；

絕緣支撐結構包括絕緣薄膜層以及位于絕緣薄膜層上、下表面的絕緣支撐環；

磁壓式高壓電極的上表面與高壓電極屏蔽板接觸。

2.根據權利要求1所述的高壓兆伏級組合式低電感中儲電容器，其特征在于：所述磁壓式高壓電極、磁壓式中間電極和磁壓式低壓電極均包括電極環以及嵌裝于電極環內的永磁體；

磁壓式高壓電極和磁壓式低壓電極內的永磁體磁極相反；

最下層的磁壓式中間電極與磁壓式低壓電極內的永磁體磁極相反；

每相鄰兩個磁壓式中間電極內的永磁體磁極相反；

最上層的磁壓式中間電極與磁壓式高壓電極內的永磁體磁極相反。

3.根據權利要求2所述的高壓兆伏級組合式低電感中儲電容器，其特征在于：所述絕緣支撐環選用聚碳酸脂材料，厚度0.8mm。

4.根據權利要求3所述的高壓兆伏級組合式低電感中儲電容器，其特征在于：所述高壓極連接板的外徑小于低壓極連接板的外徑。

5.根據權利要求4所述的高壓兆伏級組合式低電感中儲電容器，其特征在于：所述電極環采用304不銹鋼制作，低壓電極屏蔽板和高壓電極屏蔽板采用304不銹鋼制作。

6.根據權利要求5所述的高壓兆伏級組合式低電感中儲電容器，其特征在于：所述絕緣薄膜層選用15微米雙向拉伸表面粗化聚丙烯薄膜。

7.一種電磁脈沖模擬器，包括初級脈沖產生器、高壓脈沖輸出端、中儲電容器、中儲開關、峰化電容器、輸出開關以及天線負載；其特征在于：所述中儲電容器采用如權利要求1-5任一權利要求所述的高壓兆伏級組合式低電感中儲電容器。