[發(fā)明專利]一種單晶硅片清洗劑及其應(yīng)用

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011593747.4
• 申請日: 2020-12-29
• 公開（公告）號: CN112608799B
• 公開（公告）日: 2022-05-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 喻桉;史華紅;麥裕良;文武
• 申請（專利權(quán)）人: 廣東省科學(xué)院化工研究所
• 主分類號: C11D1/14
• 分類號: C11D1/14;C11D3/04;C11D3/20;C11D3/30;C11D3/39;C11D11/00;H01L31/18;C11D3/60
• 代理公司: 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44205
• 代理人: 肖云

1.一種單晶硅片清洗劑，其特征在于：由以下組分組成：醇類化合物、過氧化氫、烷基氫氧化銨水合物、氨水、含氟表面活性劑和水；

其中，各組分的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)如下：

含氟表面活性劑0.0001%~5.0%；醇類化合物0.001%~15%；烷基氫氧化銨水合物0.1%~10%；氨水0.1%~20%、過氧化氫0.1%~15%和余量為水；

所述含氟表面活性劑為全氟烷基丙醇、全氟十二醇、全氟己基磺酸銨、全氟辛基磺酸銨、全氟辛基磺酸四乙基銨、全氟丁基磺酸鉀和全氟化烷基丙烯酸酯中的至少一種。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單晶硅片清洗劑，其特征在于：所述醇類化合物為單羥基化合物和多羥基化合物中的至少一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單晶硅片清洗劑，其特征在于：所述過氧化氫的質(zhì)量濃度為10%~30%。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單晶硅片清洗劑，其特征在于：所述烷基氫氧化銨水合物為四甲基氫氧化銨水合物、四乙基氫氧化銨水合物、四丙基氫氧化銨水合物、四丁基氫氧化銨水合物、二甲基二乙基氫氧化銨水合物和三乙基甲基氫氧化銨水合物中的至少一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單晶硅片清洗劑，其特征在于：所述氨水的質(zhì)量濃度為5%~20%。

6.一種制備如權(quán)利要求1至5任一項所述的單晶硅片清洗劑的方法，其特征在于：將所述醇類化合物、過氧化氫、烷基氫氧化銨水合物、氨水、含氟表面活性劑和水物理混合即得。

7.一種如權(quán)利要求1至5任一項所述的單晶硅片清洗劑在單晶硅片表面織構(gòu)化過程前處理階段的應(yīng)用。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的應(yīng)用，其特征在于：包含以下步驟：將單晶硅片添加至所述單晶硅片清洗劑中，超聲清洗后干燥；其中，超聲的功率為10W~50W，清洗溫度為30℃~45℃，清洗時間為1min~5min。