[發明專利]應用于管式PECVD沉積設備的生產工藝

有效

• 申請號: 202011592646.5
• 申請日: 2020-12-29
• 公開（公告）號: CN112813413B
• 公開（公告）日: 2023-04-11
• 發明（設計）人: 戴虹;黃志強;王祥;袁剛;湯亮才;彭海
• 申請（專利權）人: 理想晶延半導體設備（上海）股份有限公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C23C16/30;C23C16/32;C23C16/34;C23C16/40;C23C16/50;C23C16/52;C23C16/54;H01L31/18
• 代理公司: 上海恒銳佳知識產權代理事務所(普通合伙) 31286
• 代理人: 黃海霞

1.一種應用于管式PECVD沉積設備的生產工藝，所述管式PECVD沉積設備包括傳輸裝置和設置有沉積控制裝置的管式沉積腔體，所述生產工藝包括：

S1：在所述管式沉積腔體內通過所述沉積控制裝置對裝載有基板的載具進行沉積處理以形成鍍膜基板；

S2：通過所述傳輸裝置將裝載有所述鍍膜基板的載具運出所述管式沉積腔體后卸載所述鍍膜基板，從而得到待清洗載具；

其特征在于，所述管式沉積腔體還設置有翻轉驅動裝置，所述管式PECVD設備還包括設置有清洗控制裝置的管式清洗腔體；

所述S1中，通過所述翻轉驅動裝置驅動所述載具進行翻轉運動以使所述基板相對的兩個待鍍表面分別處于待鍍狀態后通過所述沉積處理在處于所述待鍍狀態的待鍍表面形成介質膜，所述介質膜由減反射膜和鈍化膜中的至少一種組成；

所述生產工藝還包括S3，所述S3包括：通過所述傳輸裝置將所述待清洗載具輸送至所述管式清洗腔體后，通過所述清洗控制裝置對所述待清洗載具進行氣相清洗處理；

所述管式清洗腔體由相對的第一端門和第二端門，以及位于所述第一端門和所述第二端門之間的第一筒形側壁圍設而成；

所述管式清洗腔體的清洗控制裝置包括溫控裝置；所述溫控裝置設置于所述第一筒形側壁；

所述清洗控制裝置還包括氣體供應管路，所述氣體供應管路還用做沉積氣體供應管路使用，以向所述管式清洗腔體內提供至少一種反應氣體以進行所述沉積處理，使所述管式清洗腔體能夠作為管式沉積腔體使用；所述管式清洗腔體同時用做管式沉積腔體使用，使所述載具裝載不同批次的若干基板完成沉積處理后，對所述管式清洗腔體和所述載具同時進行氣相清洗處理；

所述管式清洗腔體還設置有等離子體發生裝置；所述清洗控制裝置還包括第一電極、第二電極和等離子體供應電源系統，以構成等離子體發生裝置；所述第一電極和所述第二電極設置于所述第二端門；

所述管式沉積腔體由相對的第一腔門和第二腔門，所述第二腔門的外端面設置有翻轉驅動電機；

所述翻轉驅動電機在位置控制部的指令控制下通過第一翻轉支撐部使所述載具處于第一腔面承載所述基板的第一位置或控制所述載具處于第二腔面承載所述基板的第二位置；

當所述載具旋轉到第一位置時，所述第一腔面位于所述第二腔面的正下方，所述第一腔面承載所述基板的第一表面；

當所述載具旋轉到第二位置時，所述第一腔面位于所述第二腔面的正上方，所述第二腔面承載所述基板的第二表面；

當所述載具旋轉至所述第一位置與所述第二位置之間時，中斷對所述管式沉積腔體內的等離子體發生電源供應；

當需要對所述載具進行旋轉，首先中斷所述管式沉積腔體內的等離子體發生電源供應，即斷開所述第一電極和所述第二電極與所述載具的第一電極接口和第二電極接口之間的電接觸，然后再驅動所述載具翻轉；

當所述載具旋轉完畢，接通所述第一電極和所述第二電極與所述載具的所述第一電極接口和所述第二電極接口之間的電接觸，以恢復所述管式沉積腔體內的等離子體發生電源供應，便于對所述載具內的基板進行沉積處理。

2.根據權利要求1所述的生產工藝，其特征在于，所述氣相清洗處理包括化學氣相清洗處理和等離子體化學氣相清洗處理的任意一種。

3.根據權利要求2所述的生產工藝，其特征在于，通過所述清洗控制裝置控制進行所述化學氣相清洗處理的所述管式清洗腔體內的溫度為200-600攝氏度，壓力為0.1-67千帕，使用的清洗氣體的流量為2-50標準升/分鐘。

4.根據權利要求2所述的生產工藝，其特征在于，通過所述清洗控制裝置控制所述管式清洗腔體內的溫度為300-600攝氏度，壓力為0.1-0.6千帕，使用的清洗氣體的流量為2-50標準升/分鐘，通過所述等離子體發生裝置控制射頻功率為10-40千瓦，以進行所述等離子體化學氣相清洗處理。