[發明專利]應用于管式PECVD沉積設備的處理方法

在審

• 申請號: 202011592642.7
• 申請日: 2020-12-29
• 公開（公告）號: CN112725768A
• 公開（公告）日: 2021-04-30
• 發明（設計）人: 戴虹;黃志強;王祥;袁剛;湯亮才;劉鋒
• 申請（專利權）人: 理想晶延半導體設備（上海）股份有限公司
• 主分類號: C23C16/513
• 分類號: C23C16/513;C23C16/52
• 代理公司: 上海恒銳佳知識產權代理事務所(普通合伙) 31286
• 代理人: 黃海霞

1.一種應用于管式PECVD沉積設備的處理方法，其特征在于：

所述管式PECVD沉積設備包括傳輸裝置、翻轉驅動裝置、設置有沉積控制裝置的管式沉積腔體以及設置有清洗控制裝置的管式清洗腔體；

通過所述傳輸設備帶動載具進出所述管式沉積腔體或所述管式清洗腔體，所述載具為待清洗載具或裝載有基板的載具；

通過所述翻轉驅動裝置驅動所述裝載有基板的載具進行翻轉運動以使所述基板相對的兩個待鍍表面的任意一個處于待鍍狀態；

通過所述沉積控制裝置在所述基板相對的兩個待鍍表面形成減反射膜，以完成沉積處理；

通過所述清洗控制裝置對所述待清洗載具進行氣相清洗處理。

2.根據權利要求1所述的處理方法，其特征在于，所述氣相清洗處理包括化學氣相清洗處理，通過所述清洗控制裝置控制所述管式清洗腔體內的溫度和壓力，以及向所述管式清洗腔體通入的清洗氣體的流量，以進行所述化學氣相清洗處理。

3.根據權利要求2所述的處理方法，其特征在于，通過所述清洗控制裝置控制所述管式清洗腔體內的溫度為200-600攝氏度，壓力為0.1-67千帕，所述清洗氣體的流量為2-50標準升/分鐘。

4.根據權利要求3所述的處理方法，其特征在于，通過所述清洗控制裝置控制所述化學氣相清洗處理的時長不超過3小時。

5.根據權利要求2所述的處理方法，其特征在于，所述清洗氣體為HF、F₂、Cl₂和ClF₃中的至少一種。

6.根據權利要求5所述的處理方法，其特征在于，所述清洗氣體還包括載氣，所述載氣為氮氣、氬氣和氧氣中的至少一種。

7.根據權利要求2所述的處理方法，其特征在于，所述管式清洗腔體還設置有等離子體發生裝置，通過所述管式清洗腔體進行所述化學氣相清洗處理、等離子體化學氣相清洗處理和所述沉積處理中的任意一種。

8.根據權利要求7所述的處理方法，其特征在于，通過所述清洗控制裝置控制所述管式清洗腔體內的溫度和壓力，以及向所述管式清洗腔體通入的清洗氣體的流量，通過所述等離子體發生裝置使所述清洗氣體轉化為等離子體，以進行所述等離子體化學氣相清洗處理。

9.根據權利要求8所述的處理方法，其特征在于，通過所述清洗控制裝置控制所述管式清洗腔體內的溫度為300-600攝氏度，壓力為0.1-0.6千帕，所述清洗氣體的流量為2-50標準升/分鐘，通過所述等離子體發生裝置控制射頻功率為10-40千瓦。

10.根據權利要求9所述的處理方法，其特征在于，通過所述清洗控制裝置控制所述等離子體化學氣相清洗處理的時長不超過3小時。

11.根據權利要求8所述的處理方法，其特征在于，所述清洗氣體的元素組成包含碳元素、氮元素和氟元素中的至少兩種。

12.根據權利要求11所述的處理方法，其特征在于，所述清洗氣體為NF₃、SF₆、CF₄、CHF₃和C₂F₆中的至少一種。

13.根據權利要求12所述的處理方法，其特征在于，所述清洗氣體還包括載氣，所述載氣為氮氣、氬氣和氧氣中的至少一種。

14.根據權利要求7所述的處理方法，其特征在于，所述管式清洗腔體還設置有所述翻轉驅動裝置，通過所述翻轉驅動裝置驅動所述載具進行所述翻轉運動。