[發明專利]改善晶圓面內關鍵尺寸均勻性的方法有效
| 申請號： | 202011592563.6 | 申請日： | 2020-12-29 |
| 公開（公告）號： | CN112802797B | 公開（公告）日： | 2023-08-15 |
| 發明（設計）人： | 黃然;傅士棟 | 申請（專利權）人： | 上海華力集成電路制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 張彥敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 改善 晶圓面內 關鍵 尺寸 均勻 方法 | ||
1.一種改善晶圓面內關鍵尺寸均勻性的方法，其特征在于，包括：
S1：提供一襯底晶圓；
S2：進行層間介質層形成工藝以形成一層層間介質層；
S3：判斷層間介質層是否符合要求，若否則進入步驟S4，若是則進入步驟S5；
S4：層間介質層厚度優化工藝；
S5：進行光刻BSE補償工藝；
S6：接觸孔刻蝕工藝形成接觸孔；
S7：判斷邊緣接觸孔CD是否符合要求，若否則進入步驟S8，若是則進入步驟S9；
S8：在晶圓半徑d1至邊緣區域內進行接觸孔刻蝕優化工藝以增大該區域內的圖形的關鍵尺寸；
S9：判斷晶圓面內接觸孔CD是否符合要求，若否則進入步驟S10，若是則進入步驟S11；
S10：在晶圓半徑d1至d2區域內進行第一光刻BSE補償工藝以減小該區域內的圖形的關鍵尺寸，并在晶圓半徑d2至邊緣區域內進行第二光刻BSE補償工藝以增大該區域內的圖形的關鍵尺寸；以及
S11：工藝窗口驗證上線。
2.根據權利要求1所述的改善晶圓面內關鍵尺寸均勻性的方法，其特征在于，S3為判斷晶圓面內層間介質層的厚度差是否小于100埃米。
3.根據權利要求1所述的改善晶圓面內關鍵尺寸均勻性的方法，其特征在于，S4中通過調整層間介質層的平坦化工藝的研磨頭的各區域的壓力來優化層間介質層。
4.根據權利要求1所述的改善晶圓面內關鍵尺寸均勻性的方法，其特征在于，d1＝120mm。
5.根據權利要求1所述的改善晶圓面內關鍵尺寸均勻性的方法，其特征在于，d2＝145mm。
6.根據權利要求1所述的改善晶圓面內關鍵尺寸均勻性的方法，其特征在于，晶圓面內CD?range改善至1.5nm以內。
7.根據權利要求1所述的改善晶圓面內關鍵尺寸均勻性的方法，其特征在于，產品良率安全窗口擴大50％。
8.根據權利要求1所述的改善晶圓面內關鍵尺寸均勻性的方法，其特征在于，晶圓邊緣良率提升1.0％。
9.根據權利要求1所述的改善晶圓面內關鍵尺寸均勻性的方法，其特征在于，所述改善晶圓面內關鍵尺寸均勻性的方法應用于28納米及以下工藝節點。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
