[發(fā)明專利]電子設(shè)備、半導(dǎo)體器件及其制備方法

在審

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• 申請日: 2020-12-29
• 公開（公告）號: CN114695505A
• 公開（公告）日: 2022-07-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 金華俊;李春旭;林峰
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L21/265
• 代理公司: 華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 姚姝婭

本申請涉及一種電子設(shè)備、半導(dǎo)體器件及其制備方法，包括：襯底，具有第一導(dǎo)電類型；第一埋層，具有第二導(dǎo)電類型，形成于襯底中，第二導(dǎo)電類型與第一導(dǎo)電類型相反；第二埋層，具有第二導(dǎo)電類型，形成于第一埋層的上表面，第二埋層的摻雜濃度低于第一埋層的摻雜濃度；第二導(dǎo)電類型阱區(qū)，形成于第二埋層上，底部與第二埋層接觸；器件層，形成于第二埋層和第二導(dǎo)電類型阱區(qū)圍成的區(qū)域中，器件層包括第一導(dǎo)電類型阱區(qū)，第一導(dǎo)電類型阱區(qū)形成于第二埋層靠近所述第二導(dǎo)電類型阱區(qū)的上表面。第二導(dǎo)電類型阱區(qū)與第二埋層形成的平面結(jié)的擊穿電壓與第二埋層的摻雜濃度有關(guān)，在增加第一埋層的摻雜濃度來降低襯底電流的時候，不會降低該平面結(jié)的擊穿電壓。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種電子設(shè)備、一種半導(dǎo)體器件及其制備方法。

背景技術(shù)

典型的半導(dǎo)體器件的制備方法分為兩個步驟：第一步，通過DN(Deep N well，深N阱)和BN(Buried N layer，N型埋層)在P型襯底上形成隔離島結(jié)構(gòu)。第二步，在隔離島結(jié)構(gòu)中形成器件層。上述結(jié)構(gòu)需要保證P型襯底的襯底電流足夠小，以及器件層中與BN接觸的DP(Deep P well)中DP/BN平面結(jié)的擊穿電壓足夠高。

BN的摻雜濃度越高P型襯底的襯底電流越低，但是，DP/BN平面結(jié)的擊穿電壓隨BN的摻雜濃度的增加而降低，因此，在保持DP/BN平面結(jié)的擊穿電壓不降低的情況下，不能通過增加襯底中BN的摻雜濃度來降低P型襯底的襯底電流。

發(fā)明內(nèi)容

基于此，有必要針對現(xiàn)有技術(shù)中在保持DP/BN平面結(jié)的擊穿電壓不降低的情況下，不能通過增加襯底中BN的摻雜濃度來降低P型襯底的襯底電流的問題，提供一種電子設(shè)備、半導(dǎo)體器件及其制備方法。

為了實現(xiàn)上述目的，一方面，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件，包括：

襯底，具有第一導(dǎo)電類型；

第一埋層，具有第二導(dǎo)電類型，形成于襯底中，第二導(dǎo)電類型與第一導(dǎo)電類型相反；

第二埋層，具有第二導(dǎo)電類型，形成于第一埋層的上表面，第二埋層的摻雜濃度低于第一埋層的摻雜濃度；

第二導(dǎo)電類型阱區(qū)，形成于第二埋層上，第二導(dǎo)電類型阱區(qū)的底部與第二埋層接觸；

器件層，形成于第二埋層和第二導(dǎo)電類型阱區(qū)圍成的區(qū)域中，所述器件層包括第一導(dǎo)電類型阱區(qū)，該第一導(dǎo)電類型阱區(qū)形成于第二埋層靠近第二導(dǎo)電類型阱區(qū)的上表面。

在其中一個實施例中，半導(dǎo)體器件還包括：

第一外延層，形成于襯底的上表面，第一外延層中形成有第二埋層，第二埋層的上表面與第一外延層的上表面齊平。

在其中一個實施例中，半導(dǎo)體器件還包括：

第二外延層，形成于第一外延層的上表面，第二外延層中形成有第二導(dǎo)電類型阱區(qū)和器件層；

第一淺摻雜區(qū)，具有第二導(dǎo)電類型，形成于第二導(dǎo)電類型阱區(qū)中，第一淺摻雜區(qū)的下表面高于第二導(dǎo)電類型阱區(qū)的下表面；

第一重?fù)诫s區(qū)，具有第二導(dǎo)電類型，形成于第一淺摻雜區(qū)中，第一重?fù)诫s區(qū)的下表面高于第一淺摻雜區(qū)的下表面；

第二淺摻雜區(qū)，具有第一導(dǎo)電類型，形成于第一導(dǎo)電類型阱區(qū)中，第二淺摻雜區(qū)的下表面高于第一導(dǎo)電類型阱區(qū)的下表面；

第二重?fù)诫s區(qū)，具有第一導(dǎo)電類型，形成于第二淺摻雜區(qū)中，第二重?fù)诫s區(qū)的下表面高于第二淺摻雜區(qū)的下表面；

第一淺槽隔離結(jié)構(gòu)，形成于第二外延層的上表層，位于第一導(dǎo)電類型阱區(qū)和第二導(dǎo)電類型阱區(qū)之間，第一淺槽隔離結(jié)構(gòu)的下表面高于第一淺摻雜區(qū)和第二淺摻雜區(qū)的下表面，且低于第一重?fù)诫s區(qū)和第二重?fù)诫s區(qū)的下表面。

在其中一個實施例中，半導(dǎo)體器件還包括：