[發明專利]一種氮化鎵材料的外延結構在審
| 申請號: | 202011590925.8 | 申請日: | 2020-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN112563120A | 公開(公告)日: | 2021-03-26 |
| 發明(設計)人: | 尹寶堂;吳軍;田澤;田露;黎力韜 | 申請(專利權)人: | 廣西華智芯半導體科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/033 |
| 代理公司: | 沈陽維特專利商標事務所(普通合伙) 21229 | 代理人: | 王翠 |
| 地址: | 530000 廣西壯族自治區南寧市高新區高新三*** | 國省代碼: | 廣西;45 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 氮化 材料 外延 結構 | ||
1.一種氮化鎵材料的外延結構,包括外延底座(1),其特征在于:所述外延底座(1)包括襯底板(11),襯底板(11)的上表面均勻光刻有圖形結構(12),所述圖形結構(12)呈正六邊形,每個所述圖形結構(12)外圍處成型有隔離槽(112),所述隔離槽(112)的橫向間距等于圖形結構(12)的邊緣垂直壁厚,所述襯底板(11)的上表面縱向貼合有電極隔離條(14),所述襯底板(11)的上表面橫向貼合有分割隔離條(15)。
2.根據權利要求1所述的一種氮化鎵材料的外延結構,其特征在于:所述圖形結構(12)的上表面開設有成型槽(13)。
3.根據權利要求2所述的一種氮化鎵材料的外延結構,其特征在于:所述成型槽(13)的垂直厚度等于圖形結構(12)的邊緣垂直壁厚的二分之一。
4.根據權利要求3所述的一種氮化鎵材料的外延結構,其特征在于:所述電極隔離條(14)的側表面與分割隔離條(15)的側表面相嚙合。
5.根據權利要求4所述的一種氮化鎵材料的外延結構,其特征在于:所述電極隔離條(14)由下至上分別一體成型有第一遮擋條(16)、第二遮擋條(17)和第三遮擋條(18),所述第一遮擋條(16)的側邊與下表面夾角為110°-125°之間,所述第二遮擋條(17)的側邊延長線與下表面之間的夾角為100°-115°之間,所述第三遮擋條(18)的側邊為豎直狀態。
6.根據權利要求5所述的一種氮化鎵材料的外延結構,其特征在于:所述分割隔離條(15)由下至上分別一體成型有第一隔離條(19)、第二隔離條(110)和第三隔離條(111),所述第一隔離條(19)、第二隔離條(110)和第三隔離條(111)的側面邊緣角度與第一遮擋條(16)、第二遮擋條(17)和第三遮擋條(18)為180°互補關系。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





