[發明專利]QLED器件、QLED器件的制備方法及顯示裝置在審
| 申請號： | 202011590828.9 | 申請日： | 2020-12-29 |
| 公開（公告）號： | CN112687820A | 公開（公告）日： | 2021-04-20 |
| 發明（設計）人： | 蘇亮 | 申請（專利權）人： | 廣東聚華印刷顯示技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L51/50 | 分類號： | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287 | 代理人： | 宋朝政 |
| 地址： | 510000 廣東省廣州市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | qled 器件 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種QLED器件，其特征在于，包括依次層疊設置的陽極、量子點發光層、電子傳輸層和陰極，所述電子傳輸層的材料為n型金屬氧化物，所述電子傳輸層上修飾有一層低表面能薄膜，所述低表面能薄膜位于所述電子傳輸層與所述陰極之間。
2.如權利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述低表面能薄膜的材料為APTMS、TPS或TFP中的任意一種或幾種混合。
3.如權利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述QLED器件還包括空穴傳輸層，所述空穴傳輸層位于所述陽極和所述量子點發光層之間，所述空穴傳輸層的材料為Poly-TPD、TFB、PVK、CDBP、mCBP、CBP、mCP、TCTA、TAPC、NPB或α-NPD中的任意一種或幾種混合。
4.如權利要求3所述的QLED器件，其特征在于，所述QLED器件還包括空穴注入層，所述空穴注入層位于所述陽極和所述空穴傳輸層之間，所述空穴注入層的材料為PEDOT:PSS、HAT-CN、F4-TCNQ、MoO3、V2O5、WO3或ReO3中的任意一種或幾種混合。
5.如權利要求1至4中任一項所述的QLED器件，其特征在于，所述量子點發光層的材料為CdSe/ZnSe、CdSe/CdS、CdSe/CdS/ZnS、ZnCdSeS、ZnCdSeS/ZnS、ZnCdS/ZnS或ZnSe/ZnS中的一種或幾種。
6.一種QLED器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
在基板上依次沉積陽極、量子點發光層和電子傳輸層；
采用低表面能材料對所述電子傳輸層修飾，以在所述電子傳輸層上形成低表面能薄膜；
在所述低表面能薄膜上沉積陰極。
7.如權利要求6所述的QLED器件的制備方法，其特征在于，所述采用低表面能材料對所述電子傳輸層修飾的步驟包括：
將盛有低表面能材料的容器和所述基板放入真空裝置中進行低壓干燥處理；
對所述基板進行常壓干燥處理。
8.如權利要求7所述的QLED器件的制備方法，其特征在于，所述低壓干燥處理的氣壓為500Pa～20000Pa，時間為30min～60min。
9.如權利要求7所述的QLED器件的制備方法，其特征在于，所述對所述基板進行常壓干燥處理的步驟包括：
將所述基板放入烘箱中進行烘烤，烘烤溫度為70℃～90℃，烘烤時間為20min～40min。
10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1至5中任一項所述的QLED器件或如權利要求6至9中任一項所述的方法制備的QLED器件。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
