[發明專利]應用于管式設備的生產工藝在審
| 申請號: | 202011590690.2 | 申請日: | 2020-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN112795904A | 公開(公告)日: | 2021-05-14 |
| 發明(設計)人: | 黃志強;戴虹;王祥;袁剛;彭海;劉鋒 | 申請(專利權)人: | 理想晶延半導體設備(上海)股份有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/44 | 分類號: | C23C16/44;C23C16/52;C23C16/50;C23C16/34;C23C16/30;C23C16/40;H01L31/18 |
| 代理公司: | 上海恒銳佳知識產權代理事務所(普通合伙) 31286 | 代理人: | 黃海霞 |
| 地址: | 201620 上海市松*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 應用于 設備 生產工藝 | ||
本發明提供了應用于管式設備的生產工藝,包括:通過翻轉驅動裝置驅動管式沉積腔體內的載具進行翻轉運動,通過不同沉積控制裝置在對應的所述管式沉積腔體內完成不同類型的沉積反應,以及通過清洗控制裝置對進入管式清洗腔體的載具進行氣相清洗處理。本發明通過至少兩個所述管式沉積腔體實現不同類型沉積反應的靈活調節,通過所述翻轉運動使得所述載具無需多次進出所述管式沉積腔體內部就能夠實現雙面鍍,提高了生產效率;通過設置于所述管式清洗腔體的清洗控制裝置對進入所述管式清洗腔體的載具進行所述氣相清洗處理,無需拆裝所述載具,從而進一步提高了生產效率。
技術領域
本發明涉及晶硅太陽能電池制造技術領域,尤其涉及應用于管式設備的生產工藝。
背景技術
太陽能電池制造工藝中,利用等離子體增強化學氣相沉積(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition,PECVD)法在晶硅表面形成減反射膜,能夠通過減少光線的反射率來提高光能利用率,同時減反射膜還能夠起到鈍化效果并為電池提供長期的保護,從而有利于光電轉化效率的提升。因此,高質量的氮化硅薄膜對提高晶硅太陽能電池的性能和質量都起到了至關重要的作用。
現有技術中通常將能夠放置幾十甚至上百硅片的石墨舟送入石英管中,通過在石英管內激發等離子體進行PECVD沉積。由于石墨舟絕大部分表面也暴露在反應環境中,減反射膜沉積不僅在硅片表面進行,也在石墨舟的暴露表面進行,石墨舟表面的沉積層容易對硅片表面造成污染。因此,需要定期對石墨舟進行維護。
現有技術中通常采用化學法對PECVD工藝的相關器件進行清洗維護。例如公開號為CN105742159A的中國專利申請公開了通過混酸和純水清除光伏相關器件,例如石墨舟和石英管表面污染的方法。然而這種清洗方法屬于離線清洗,需要將石英管或石墨舟浸泡于酸液或水中,涉及到遠程運輸、石英管的拆裝過程和繁雜的清洗工藝,不利于生產效率的提高。
因此,有必要開發一種新型的應用于管式設備的生產工藝以解決現有技術存在的上述問題。
發明內容
本發明的目的在于提供一種應用于管式設備的生產工藝,以實現不同類型沉積反應的靈活調節并對載具進行在線清洗,有利于提高生產效率。
為實現上述目的,本發明應用于管式設備的生產工藝中,所述管式設備包括傳輸裝置和設置有沉積控制裝置的管式沉積腔體,所述生產工藝包括:
通過所述管式沉積腔體對裝載有基板的載具進行沉積處理以形成鍍膜基板,然后通過所述傳輸裝置將裝載有所述鍍膜基板的載具運出所述管式沉積腔體后卸載所述鍍膜基板,從而得到待清洗載具,其特征在于:
所述管式沉積腔體的數目至少為2,所述沉積處理包括:通過不同沉積控制裝置在對應的所述管式沉積腔體內完成不同類型的沉積反應;
至少一個所述管式沉積腔體還設置有翻轉驅動裝置,通過所述翻轉驅動裝置驅動所述裝載有基板的載具進行翻轉運動以使所述基板的兩個相對的待鍍表面的任意一個處于待鍍狀態后,再進行所述沉積處理;
所述管式PECVD設備還包括設置有清洗控制裝置的管式清洗腔體,通過所述傳輸裝置將所述待清洗載具輸送至所述管式清洗腔體后,通過所述清洗控制裝置對所述待清洗載具進行氣相清洗處理。
本發明的應用于管式設備的處理方法的有益效果在于:通過不同沉積控制裝置在對應的所述管式沉積腔體內完成不同類型的沉積反應,使得能夠根據工藝需求進行靈活調整,通過所述翻轉驅動裝置驅動所述載具進行翻轉運動以使所述基板的兩個相對的待鍍表面的任意一個處于待鍍狀態,使得所述載具無需多次進出所述管式沉積腔體內部就能夠使兩個所述待鍍表面中的任意一個或兩個處于待鍍狀態,簡化了工藝流程,提高了生產效率;通過所述清洗控制裝置在所述管式清洗腔體內對所述待清洗載具進行氣相清洗處理,無需拆裝所述待清洗載具,從而進一步提高了生產效率。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





