[發明專利]應用于管式鍍膜設備的生產工藝

在審

• 申請號: 202011590655.0
• 申請日: 2020-12-29
• 公開（公告）號: CN112795903A
• 公開（公告）日: 2021-05-14
• 發明（設計）人: 戴虹;黃志強;王祥;胡海明;湯亮才;劉鋒
• 申請（專利權）人: 理想晶延半導體設備（上海）股份有限公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C23C16/50
• 代理公司: 上海恒銳佳知識產權代理事務所(普通合伙) 31286
• 代理人: 黃海霞

本發明提供了一種應用于管式鍍膜設備的生產工藝，包括：通過沉積控制裝置對基板進行沉積處理，通過清洗控制裝置對待清洗載具進行氣相清洗處理，以及所述氣相清洗處理結束后，通過飽和控制裝置對清洗載具進行飽和處理。本發明中通過所述傳輸裝置將所述待清洗載具輸送至所述管式清洗腔體后，通過所述清洗控制裝置對所述待清洗載具進行氣相清洗處理，以得到清洗載具；所述氣相清洗處理結束后，通過所述傳輸裝置將所述清洗載具輸送至所述管式飽和腔體后，通過所述飽和控制裝置對所述清洗載具進行飽和處理，無需拆裝所述待清洗載具，從而進一步提高了生產效率。

技術領域

本發明涉及晶硅太陽能電池制造技術領域，尤其涉及管式鍍膜設備的生產工藝。

背景技術

太陽能電池制造工藝中，利用等離子體增強化學氣相沉積(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition，PECVD)法在晶硅表面形成減反射膜，能夠通過減少光線的反射率來提高光能利用率，同時減反射膜還能夠起到鈍化效果并為電池提供長期的保護，從而有利于光電轉化效率的提升。因此，高質量的氮化硅薄膜對提高晶硅太陽能電池的性能和質量都起到了至關重要的作用。

現有技術中通常將能夠放置幾十甚至上百硅片的石墨舟送入石英管中，通過在石英管內激發等離子體進行PECVD沉積。由于石墨舟絕大部分表面也暴露在反應環境中，減反射膜沉積不僅在硅片表面進行，也在石墨舟的暴露表面進行，石墨舟表面的沉積層容易對硅片表面造成污染。因此，需要定期對石墨舟進行維護。

現有技術中通常采用化學法對PECVD工藝的相關器件進行清洗維護。例如公開號為CN105742159A的中國專利申請公開了通過混酸和純水清除光伏相關器件，例如石墨舟和石英管表面污染的方法。然而這種清洗方法屬于離線清洗，需要將石英管或石墨舟浸泡于酸液或水中，涉及到遠程運輸、石英管的拆裝過程和繁雜的清洗工藝，不利于生產效率的提高。

因此，有必要開發一種新型的應用于管式鍍膜設備的生產工藝以解決現有技術存在的上述問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種應用于管式鍍膜設備的生產工藝，以對載具進行在線清洗和飽和處理，并有利于提高生產效率。

為實現上述目的，本發明的所述管式鍍膜設備包括傳輸裝置、設置有清洗控制裝置的管式清洗腔體以及設置有飽和控制裝置的管式飽和腔體，所述生產工藝包括提供待清洗載具；通過所述傳輸裝置將所述待清洗載具輸送至所述管式清洗腔體后，通過所述清洗控制裝置對所述待清洗載具進行氣相清洗處理，以得到清洗載具；所述氣相清洗處理結束后，通過所述傳輸裝置將所述清洗載具輸送至所述管式飽和腔體后，通過所述飽和控制裝置對所述清洗載具進行飽和處理。

本發明的所述應用于管式鍍膜設備的生產工藝的有益效果在于：通過所述傳輸裝置將所述待清洗載具輸送至所述管式清洗腔體后，通過所述清洗控制裝置對所述待清洗載具進行氣相清洗處理，以得到清洗載具；所述氣相清洗處理結束后，通過所述傳輸裝置將所述清洗載具輸送至所述管式飽和腔體后，通過所述飽和控制裝置對所述清洗載具進行飽和處理，無需拆裝所述待清洗載具，從而進一步提高了生產效率。

優選的，通過所述飽和控制裝置控制所述管式飽和腔體內的溫度為200-600 攝氏度，壓力為0.2-0.4千帕，射頻功率為10-40千瓦，以及控制向所述管式飽和腔體內輸送的飽和氣體的流量為5-30標準升/分鐘，以使所述清洗載具表面形成飽和層。其有益效果在于：保證飽和層的沉積均勻性。

進一步優選的，所述飽和氣體包括硅烷，還包括氨氣和氮氧化物中的至少一種。

進一步優選的，所述飽和氣體還包括載氣，所述載氣為氮氣、氬氣和氧氣中的至少一種。

優選的，所述氣相清洗處理包括化學氣相清洗處理，通過所述清洗控制裝置控制所述管式清洗腔體內的溫度為200-600攝氏度，壓力為0.1-67千帕，所述清洗氣體的流量為2-50標準升/分鐘，以進行所述化學氣相清洗處理。其有益效果在于：保證清洗的效果。