[發明專利]制備高溫高表面張力金屬粉末的離心霧化裝置及方法

在審

• 申請號: 202011590003.7
• 申請日: 2020-12-29
• 公開（公告）號: CN112620642A
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發明（設計）人: 徐樸;王思遠;劉碩
• 申請（專利權）人: 深圳市福英達工業技術有限公司
• 主分類號: B22F9/10
• 分類號: B22F9/10
• 代理公司: 深圳市睿智專利事務所 44209
• 代理人: 周慧玲;林青

1.一種制備高溫高表面張力金屬粉末的離心霧化裝置,用于高溫高表面張力金屬的離心霧化形成金屬球形粉末，其特征在于包括，

用于旋轉的離心盤，待離心霧化的高溫高表面張力液態金屬從離心盤上方落入離心盤；離心盤和外部動力輸出裝置連接獲得離心旋轉動力；

高溫高表面張力金屬在熔融過程中或在熔融之前添加了用于減小高溫金屬表面張力的微量元素；

在高溫高表面張力液態金屬離心霧化過程中，對高溫高表面張力金屬流體施加電場。

2.根據權利要求1所述制備高溫高表面張力金屬粉末的離心霧化裝置，其特征在于，

包括用于將高溫高表面張力金屬流體從外部容器引至旋轉離心盤上方的流通管道；

直流電源，用于對高溫高表面張力金屬流體施加直流電；

流通管道的一端和外部的真空感應金屬熔爐連接，流通管道的另一端設置在離心盤的上方；外部的金屬熔爐中的高溫高表面張力液態金屬經由金屬管道落向離心盤形成高溫高表面張力金屬流；

直流電源的正極設置在流通管道的出口處；

直流電源的負極設置在離心盤上；

當高溫高表面張力金屬從流通管道流出至離心盤上時，高溫高表面張力金屬流上作用有直流電。

3.根據權利要求2所述制備高溫高表面張力金屬粉末的離心霧化裝置，其特征在于，

所述直流電源的電壓范圍是1V～5V；或所述直流電源的電流范圍是0.1A～10A。

4.根據權利要求1所述制備高溫高表面張力金屬粉末的離心霧化裝置，其特征在于，

高溫高表面張力金屬是熔點溫度范圍大于等于280⁰C，且液態表面張力大于等于800mN/m的金屬。

5.根據權利要求2所述制備高溫高表面張力金屬粉末的離心霧化裝置，其特征在于，

離心盤包括離心盤主體和托架；

采用鈦合金、高溫鋼、高溫不銹鋼中的任意一種或多種材料制成的托架，用于和外部動力輸出裝置連接獲得離心旋轉動力；

采用石墨、氧化鋯陶瓷、氧化鋁陶瓷、鎢鉬合金、鎢鈮合金、碳化鎢合金或球墨鑄鐵中的任意一種或多種材料制成的離心盤主體固定在托架上，待離心霧化的高溫高表面張力金屬從離心盤主體上方落入離心盤；

直流電源的正極設置在流通管道的出口處；直流電源的負極設置在托架上。

6.一種制備高溫高表面張力金屬粉末的離心霧化方法，用于高溫高表面張力金屬的離心霧化形成金屬球形粉末，其特征在于，采用了權利要求1至5任意一項所述制備高溫高表面張力金屬粉末的離心霧化裝置進行離心霧化。

7.根據權利要求6所述制備高溫高表面張力金屬粉末的離心霧化方法，其特征在于，

高溫高表面張力金屬包括銅、銅合金、不銹鋼、鋁、鋁合金、金、金合金、銀、銀合金中的任意一種或多種。

8.根據權利要求6所述離心霧化方法，其特征在于，

所述微量元素包括金屬鉍Bi、鈉Na、鉀K、銻Sb、鈣Ca等表面張力小于等于500mN/m的金屬以及非金屬元素硒Se、氧O、磷P、硫S中的任意一種或多種。

9.根據權利要求6所述制備高溫高表面張力金屬粉末的離心霧化方法，其特征在于，

所述微量元素是低表面張力特性的元素；所述微量元素加入的量是以主金屬為質量百分比的0~5%，優選微量元素的加入量為主金屬對微量元素的固溶量。

10.根據權利要求6所述制備高溫高表面張力金屬粉末的離心霧化方法，其特征在于，

所述高溫高表面張力金屬在熔融過程中，添加用于減小高溫金屬表面張力的微量元素，同時還在金屬熔融過程進行對超聲波處理，超聲波頻率20千赫茲～30千赫茲 時間30分鐘～120分鐘。