[發明專利]介電常數系列可調的低介電常數LTCC材料用玻璃粉體及其制備方法

有效

• 申請號: 202011589890.6
• 申請日: 2020-12-29
• 公開（公告）號: CN112624617B
• 公開（公告）日: 2021-07-27
• 發明（設計）人: 周紀平;周世平;溫俊磊;馬丹丹;李武;裴廣斌
• 申請（專利權）人: 洛陽中超新材料股份有限公司
• 主分類號: C03C10/00
• 分類號: C03C10/00;C03B19/06
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 張雪嬌

1.一種介電常數系列可調的低介電常數LTCC材料用玻璃粉體，其特征在于，包括低軟化點硼硅酸鹽玻璃粉體、高軟化點鈣硼硅玻璃粉體與陶瓷填料；

所述低軟化點硼硅酸鹽玻璃粉體在低介電常數LTCC材料用玻璃粉體中的質量比例大于0小于等于20%；

所述高軟化點鈣硼硅玻璃粉體在低介電常數LTCC材料用玻璃粉體中的質量比例大于等于80%小于100%；

所述陶瓷填料在低介電常數LTCC材料用玻璃粉體中的質量比例為0~5%；

所述低軟化點硼硅酸鹽玻璃粉體包括：30~60 wt%的B₂O₃、30~60 wt%的SiO₂、0~10 wt%的Al₂O₃、0~3 wt%的Li₂O、0~3 wt%的Na₂O、0~3 wt%的K₂O、0~3 wt%的MgO、0~3wt%的TiO₂與0~3wt%的ZnO；

所述高軟化點鈣硼硅玻璃粉體包括：20~50 wt%的CaO、8~26 wt%的B₂O₃、30~60 wt%的SiO₂、0~10 wt%的Al₂O₃、0~3 wt%的Li₂O、0~3 wt%的Na₂O、0~3 wt%的K₂O、0~3 wt%的MgO、0~3wt%的TiO₂、0~3 wt%的ZnO與0~1wt%的ZrO₂。

2.根據權利要求1所述的低介電常數LTCC材料用玻璃粉體，其特征在于，所述陶瓷填料選自石英、氧化鋁、氧化鎂、堇青石、莫來石、鈣長石與鋰輝石中的一種或多種；所述陶瓷填料的粒度細于5000目；所述低軟化點硼硅酸鹽玻璃粉體與高軟化點鈣硼硅玻璃粉體的粒度各自獨立地等于或小于400目。

3.根據權利要求1所述的低介電常數LTCC材料用玻璃粉體，其特征在于，所述低軟化點硼硅酸鹽玻璃粉體與高軟化點鈣硼硅玻璃粉體的粒徑分布各自獨立地為：D₁₀≤1.0 μm，D₅₀≤2.0μm，D₉₀≤4.0μm。

4.一種權利要求1所述的介電常數系列可調的低介電常數LTCC材料用玻璃粉體的制備方法，其特征在于，包括：

分別將低軟化點硼硅酸鹽玻璃、高軟化點鈣硼硅玻璃與陶瓷填料按照預先設定的比例混合后進行濕法球磨，得到介電常數系列可調的低介電常數LTCC材料用玻璃粉體。

5.一種介電常數系列可調的低介電常數LTCC材料用微晶玻璃，其特征在于，由權利要求1~3任意一項所述的介電常數系列可調的低介電常數LTCC材料用玻璃粉體經成型后燒成得到。

6.根據權利要求5所述的低介電常數LTCC材料用微晶玻璃，其特征在于，所述燒成的溫度為630℃~950℃。

7.一種介電常數系列可調的低介電常數LTCC材料用微晶玻璃的制備方法，其特征在于，包括：

A1）將權利要求1~3任意一項所述的介電常數系列可調的低介電常數LTCC材料用玻璃粉體與粘結劑混合造粒、成型，得到生坯；

A2）將所述生坯進行燒成，得到介電常數系列可調的低介電常數LTCC材料用微晶玻璃。

8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述步驟A2）具體為：

將所述生坯加熱進行排膠，然后繼續加熱進行燒成，得到介電常數系列可調的低介電常數LTCC材料用微晶玻璃；

從室溫加熱到排膠溫度的升溫速率為1~3℃/min；所述排膠的溫度為450℃~550℃；所述排膠的時間為1~5 h；

從排膠溫度繼續加熱至燒成溫度的升溫速率為3~8℃/min；所述燒成的溫度為630℃~950℃；所述燒成的時間為10~120 min。

9.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，燒成后，以2~5℃/min的降溫速率降溫至350℃~450℃，然后自然冷卻，得到介電常數系列可調的低介電常數LTCC材料用微晶玻璃。