[發(fā)明專利]SD NAND測試方法、裝置、存儲介質(zhì)和終端有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011589823.4 | 申請日: | 2020-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN112542208B | 公開(公告)日: | 2021-10-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 唐維強(qiáng);林曉新;孫兆興 | 申請(專利權(quán))人: | 芯天下技術(shù)股份有限公司 |
| 主分類號: | G11C29/56 | 分類號: | G11C29/56 |
| 代理公司: | 佛山市海融科創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44377 | 代理人: | 陳志超;唐敏珊 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市龍崗區(qū)園山街*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | sd nand 測試 方法 裝置 存儲 介質(zhì) 終端 | ||
1.一種SD NAND測試方法,其特征在于,整個(gè)測試過程在freertos操作系統(tǒng)中完成,具體包括以下步驟:
S1:預(yù)設(shè)包括一定數(shù)據(jù)的若干個(gè)線程,并設(shè)定各個(gè)線程的優(yōu)先級;
S2:在某一線程搶占成功后,判斷SD NAND FLASH中是否已經(jīng)寫入該線程的全部數(shù)據(jù),是則跳轉(zhuǎn)至S3,否則跳轉(zhuǎn)至S4;
S3:刪除SD NAND FLASH中該線程的全部數(shù)據(jù),然后跳轉(zhuǎn)至S4;
S4:根據(jù)該線程的數(shù)據(jù)對SD NAND FLASH進(jìn)行讀寫校驗(yàn),得到校驗(yàn)數(shù)據(jù);
S5:輸出校驗(yàn)數(shù)據(jù);
S6:判斷是否觸發(fā)測試完畢條件,是則SD NAND FLASH測試完畢,否則跳轉(zhuǎn)至S2。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SD NAND測試方法,其特征在于,所述若干個(gè)線程的數(shù)據(jù)加起來的總數(shù)據(jù)大小等于SD NAND FLASH的容量。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SD NAND測試方法,其特征在于,所述S3中,使所述刪除SDNAND FLASH中該線程的全部數(shù)據(jù)的過程處于加鎖狀態(tài)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SD NAND測試方法,其特征在于,所述S4中,使所述根據(jù)該線程的數(shù)據(jù)對SD NAND FLASH進(jìn)行讀寫校驗(yàn)的過程處于加鎖狀態(tài)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SD NAND測試方法,其特征在于,所述校驗(yàn)數(shù)據(jù)包括寫操作返回值、讀操作返回值、讀寫數(shù)據(jù)對比結(jié)果以及SD NAND FLASH讀寫校驗(yàn)地址。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的SD NAND測試方法,其特征在于,所述S4中,具體過程如下:
s41:將該線程的部分?jǐn)?shù)據(jù)寫入SD NAND FLASH內(nèi),得到寫操作返回值;
s42:讀出s41中寫入SD NAND FLASH內(nèi)的數(shù)據(jù),得到讀操作返回值;
s43:對比s41中寫入SD NAND FLASH內(nèi)的數(shù)據(jù)和s42中從SD NAND FLASH內(nèi)讀出的數(shù)據(jù)是否一致,得到讀寫數(shù)據(jù)對比結(jié)果;
s44:根據(jù)寫操作返回值、讀操作返回值、讀寫數(shù)據(jù)對比結(jié)果和執(zhí)行讀寫校驗(yàn)的SD NANDFLASH內(nèi)的地址得到校驗(yàn)數(shù)據(jù)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的SD NAND測試方法,其特征在于,所述測試完畢條件包括讀寫校驗(yàn)出錯(cuò)或測試時(shí)間達(dá)到預(yù)設(shè)值。
8.一種SD NAND測試裝置,其特征在于,包括:
線程預(yù)設(shè)模塊,預(yù)設(shè)包括一定數(shù)據(jù)的若干個(gè)線程,并設(shè)定各個(gè)線程的優(yōu)先級;
數(shù)據(jù)寫入判斷模塊,在某一線程搶占成功后,判斷SD NAND FLASH中是否已經(jīng)寫入該線程的全部數(shù)據(jù);
數(shù)據(jù)刪除模塊,刪除SD NAND FLASH中該線程的全部數(shù)據(jù);
讀寫檢驗(yàn)?zāi)K,根據(jù)該線程的數(shù)據(jù)對SD NAND FLASH進(jìn)行讀寫校驗(yàn),得到校驗(yàn)數(shù)據(jù);
校驗(yàn)數(shù)據(jù)輸出模塊,輸出校驗(yàn)數(shù)據(jù);
條件觸發(fā)判斷模塊,判斷是否觸發(fā)測試完畢條件。
9.一種存儲介質(zhì),其特征在于,所述存儲介質(zhì)中存儲有計(jì)算機(jī)程序,當(dāng)所述計(jì)算機(jī)程序在計(jì)算機(jī)上運(yùn)行時(shí),使得所述計(jì)算機(jī)執(zhí)行權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的方法。
10.一種終端,其特征在于,包括處理器和存儲器,所述存儲器中存儲有計(jì)算機(jī)程序,所述處理器通過調(diào)用所述存儲器中存儲的所述計(jì)算機(jī)程序,用于執(zhí)行權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的方法。
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