[發(fā)明專利]產(chǎn)生離子能量分布函數(shù)(IEDF)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011589113.1
• 申請(qǐng)日: 2017-12-11
• 公開（公告）號(hào): CN112701025A
• 公開（公告）日: 2021-04-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: L·多爾夫;T·高;O·盧艾萊;O·朱伯特;P·A·克勞斯;R·丁德薩;J·H·羅杰斯
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 應(yīng)用材料公司
• 主分類號(hào): H01J37/08
• 分類號(hào): H01J37/08;H01J37/248;H01J37/32
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 侯穎媖;張?chǎng)?/td>

1.一種方法，包括：

(a)向工藝腔室的電極遞送第一脈沖串，其中所述第一脈沖串包括：

第一多個(gè)電壓脈沖，所述第一多個(gè)電壓脈沖在第一串周期期間被遞送，其中所述第一多個(gè)電壓脈沖中的每一個(gè)脈沖包括第一脈沖幅度；以及

(b)向所述工藝腔室的所述電極遞送第二脈沖串，其中所述第二脈沖串包括：

第二多個(gè)電壓脈沖，所述第二多個(gè)電壓脈沖在第二串周期期間被遞送，其中所述第二多個(gè)電壓脈沖中的每一個(gè)脈沖包括第二脈沖幅度，

(c)重復(fù)(a)和(b)多次，其中重復(fù)(a)和(b)所述多次被配置為產(chǎn)生離子能量分布函數(shù)(IEDF)，所述離子能量分布函數(shù)(IEDF)具有在形成于所述工藝腔室中的等離子體中的多個(gè)能量峰值。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括工作周期，所述工作周期包括在所述第一串周期期間提供的所述第一脈沖串、在所述第二串周期期間提供的所述第二脈沖串、以及其中沒有電壓脈沖被提供至所述電極的周期。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一多個(gè)電壓脈沖的所述第一脈沖幅度大于所述第二多個(gè)電壓脈沖的所述第二脈沖幅度。

4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中所述第一串周期大于所述第二串周期。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括：

(d)向所述工藝腔室的所述電極遞送第三脈沖串，其中所述第三脈沖串包括：

第三多個(gè)電壓脈沖，所述第三多個(gè)電壓脈沖在第三串周期期間被遞送，其中所述第三多個(gè)電壓脈沖中的每一個(gè)脈沖包括第三脈沖幅度，并且

其中：

重復(fù)(a)和(b)多次進(jìn)一步包括重復(fù)(a)、(b)和(d)多次，并且

所述第一多個(gè)電壓脈沖的所述第一脈沖幅度、所述第二多個(gè)電壓脈沖的所述第二脈沖幅度、以及所述第三多個(gè)電壓脈沖的所述第三脈沖幅度各自不同。

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中所述第一脈沖幅度大于所述第二脈沖幅度和所述第三脈沖幅度，并且所述第二脈沖幅度大于所述第三脈沖幅度。

7.如權(quán)利要求5所述的方法，其中所述第一脈沖幅度小于所述第二脈沖幅度，并且所述第二脈沖幅度小于所述第三脈沖幅度。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一多個(gè)電壓脈沖和所述第二多個(gè)電壓脈沖中的每一個(gè)脈沖包括：

負(fù)跳變電壓，所述負(fù)跳變電壓被施加到所述電極來為晶片設(shè)定晶片電壓；以及

所述晶片電壓，所述晶片電壓通過施加所述第一多個(gè)電壓脈沖和所述第二多個(gè)電壓脈沖形成，所述晶片電壓產(chǎn)生具有兩個(gè)或更多個(gè)能量峰值的離子能量分布函數(shù)。

9.如權(quán)利要求8所述的方法，進(jìn)一步包括在向所述電極施加所述負(fù)跳變電壓之前向所述工藝腔室的所述電極施加正跳變電壓、以及向所述電極施加過度補(bǔ)償所述晶片上的離子電流的斜坡電壓。

10.如權(quán)利要求8所述的方法，進(jìn)一步包括向所述工藝腔室的所述電極施加正跳變電壓以中和所述晶片的表面。

11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中在施加所述負(fù)跳變電壓之前，向所述工藝腔室的所述電極施加所述正跳變電壓。

12.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所產(chǎn)生的離子能量分布函數(shù)在設(shè)置于所述電極之上的晶片上感應(yīng)出特定的偏壓電壓波形。

13.如權(quán)利要求1所述的方法，其中針對(duì)所述多個(gè)能量峰值中的每一個(gè)能量峰值的離子比例由在所述第一串周期和所述第二串周期期間產(chǎn)生的脈沖的數(shù)量來確定。