[發(fā)明專利]一種光電器件微區(qū)光電流/反射圖像特征提取及分析方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011588721.0
• 申請日: 2020-12-29
• 公開（公告）號: CN112686273B
• 公開（公告）日: 2022-11-08
• 發(fā)明（設計）人: 張彤;周佩;呂磊;蘇丹
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: G06V10/40
• 分類號: G06V10/40;G06V10/26;G06T7/194;G06T7/62
• 代理公司: 南京瑞弘專利商標事務所(普通合伙) 32249
• 代理人: 沈廉

1.一種光電器件微區(qū)光電流/反射圖像特征提取及分析方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：

步驟1.分別提取光電器件表面平面電池區(qū)域無微納結構和有微納結構區(qū)域的光電流圖像和反射圖像；

步驟2.將步驟1中得到的光電流/反射圖像進行去背景變換，得到變換后的光電流變化圖像ΔI(x,y)和反射光變化圖像ΔR(x,y)；

步驟3.對變換后的光電流/反射圖像進行特征提取，定義面積S為光電流或反射光變化的變化量與背景區(qū)域變化量平均值之差的圖像面積，定義對比度C為圖像標準差與均值之商；

步驟4.根據(jù)步驟3變換后的光電流/反射圖像特征分析微納結構對于器件電學性能的影響，結合以下規(guī)則，做出結構加入對器件影響的判斷：

(1)C_光電流＝C_反射光，且S(ΔI0)＝S(ΔR0)，S(ΔI0)＝S(ΔR0)；此時微納結構的引入僅有光學上的作用,對電池的電學性能沒有影響；

(2)S(ΔI0)S(ΔR0)，S(ΔI0)S(ΔR0)，此時微納結構的引入不僅有光學上的作用，且使得器件電學性能變差；

(3)S(ΔI0)S(ΔR0)，S(ΔI0)S(ΔR0)，此時微納結構的引入不僅有光學上的作用，且使得器件電學性能變好。

2.如權利要求1所述的一種光電器件微區(qū)光電流/反射圖像特征提取及分析方法，其特征在于：所述微區(qū)光電流圖像是指激光聚焦后在器件表面掃描，得到器件表面不同位置的光電流數(shù)值形成的圖像，用于表征器件中微區(qū)光電流變化情況。

3.如權利要求1所述的一種光電器件微區(qū)光電流/反射圖像特征提取及分析方法，其特征在于：所述反射圖像為單色激光聚焦在器件表面掃描，提取光的反射信號形成的反射圖像；或采用白光經(jīng)顯微鏡聚焦在器件表面掃描，經(jīng)過光柵分光得出的單色光反射圖像，用于表征器件的光學特性。

4.如權利要求1所述的一種光電器件微區(qū)光電流/反射圖像特征提取及分析方法，其特征在于：所述步驟2的去背景變換是指：定義平面電池區(qū)域即無微納結構區(qū)域為背景區(qū)域，將帶有微納結構區(qū)域的光電流和反射光掃描值分別減去背景區(qū)域的光電流和反射光掃描值的平均值，得到光電流變換圖像ΔI(x,y)和反射光變化圖像ΔR(x,y)。

5.如權利要求1所述的一種光電器件微區(qū)光電流/反射圖像特征提取及分析方法，其特征在于：所述步驟3對變換后的光電流/反射圖像進行特征提取是指：定義S為光電流或反射光的變化量與背景區(qū)域變化量平均值之差的圖像面積，S(ΔI0)、S(ΔI0)、S(ΔR0)、S(ΔR0)分別指光電流變化大于0的圖像面積、光電流變化小于0的圖像面積、反射光變化大于0的圖像面積、反射光變化小于0的圖像面積；定義對比度C為分別為圖像標準差與均值之商。