[發明專利]一種用于超級電容器的暫態支撐保護系統

有效

• 申請號: 202011587655.5
• 申請日: 2020-12-29
• 公開（公告）號: CN112769103B
• 公開（公告）日: 2022-06-28
• 發明（設計）人: 張獻輝;荀海波;尹秋帆;張宏波;莫永聰;周程
• 申請（專利權）人: 上海稊米汽車科技有限公司
• 主分類號: H02H7/16
• 分類號: H02H7/16;H02J7/34
• 代理公司: 上海唯智贏專利代理事務所(普通合伙) 31293
• 代理人: 姜曉艷

1.一種用于超級電容器的暫態支撐保護系統，其特征在于：包括與處理器相連的超級電容器，所述超級電容器的輸出端依次通過單向導通模塊、開關模塊、采樣模塊與外部系統相連，所述單向導通模塊、開關模塊、采樣模塊還與處理器相連，所述單向導通模塊用于根據外部系統和超級電容器的壓差，控制超級電容器的單向輸出供電，所述開關模塊用于控制外部系統和超級電容器之間的電連接，所述采樣模塊用于對來自外部系統電流信號的變化狀態進行采集，所述處理器根據采樣模塊的采集結果，判斷所述暫態支撐保護系統是否受到高頻干擾，再結合超級電容器的輸出電壓及單向導通模塊的驅動電壓，采用遲滯控制方法，控制開關模塊的導通和關閉，確保單向導通模塊的驅動電壓在受到高頻干擾期間滿足驅動要求；

所述單向導通模塊包括與型號為74700的理想二極管控制器芯片和與之相連的一個或者多個第一MOSFET管，所述開關模塊包括型號為7003的MOSFET管驅動器芯片和與之相連的一個或者多個第二MOSFET管，所述采樣模塊設置為電阻，其兩端分別連接到MOSFET管驅動器芯片的SNS﹣引腳和SNS﹢引腳，所述MOSFET管驅動器芯片的IMON引腳通過第一采樣電路與處理器相連，所述理想二極管控制器芯片的VCAP引腳通過第二采樣電路與處理器相連，

所述處理器根據IMON引腳的檢測值，判斷所述暫態支撐保護系統是否受到高頻干擾，若是，判斷VCAP引腳的檢測值和超級電容器的輸出端的壓差是否大于遲滯區間的上門限，若是，則控制開關模塊導通；判斷VCAP引腳的檢測值和超級電容器的輸出端的壓差是否小于遲滯區間的下門限，若是，則控制開關模塊關閉。

2.根據權利要求1所述的用于超級電容器的暫態支撐保護系統，其特征在于：所述上門限設置為MOSFET管的飽和導通時基極和柵極的最大開啟電壓和第一閾值之和，所述下門限設置為飽和導通時基極和柵極的最大開啟電壓和第二閾值之和。

3.根據權利要求2所述的用于超級電容器的暫態支撐保護系統，其特征在于：所述高頻干擾的頻率越大，第一閾值的數值越大，所述高頻干擾的頻率越小，第二閾值的數值越小。

4.根據權利要求1所述的用于超級電容器的暫態支撐保護系統，其特征在于：多個所述第一MOSFET管并聯后與理想二極管控制器芯片相連，多個所述第二MOSFET管并聯后與MOSFET管驅動器芯片相連，所述第一采樣電路包括與IMON引腳相連的電阻R909與電容C905，所述第二采樣電路包括串聯的電阻R917和電阻R918，其一端與VCAP引腳相連，另一端與并聯的電阻R919和電容C910相連。