[發明專利]一種太陽能電池芯片及其制作方法

有效

• 申請號: 202011586812.0
• 申請日: 2020-12-28
• 公開（公告）號: CN112820785B
• 公開（公告）日: 2021-11-26
• 發明（設計）人: 楊文奕;張小賓;劉建慶;丁杰;丁亮
• 申請（專利權）人: 中山德華芯片技術有限公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/18
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 何嘉杰

1.一種太陽能電池芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、在鍺襯底上依次生成太陽能功能層以及正面電極層以形成電池初成品；

S2、在所述電池初成品上從設置所述正面電極層的一面向設置所述鍺襯底的一面蝕刻處理以形成若干個蝕刻槽，所述蝕刻槽延伸至所述鍺襯底并在鍺襯底上形成預設深度，所述蝕刻槽將所述電池初成品劃分形成多個芯片初成品；

S3、對蝕刻處理后的電池初成品涂覆粘合層，以使得粘合層包覆于所述正面電極層、所述太陽能功能層以及所述鍺襯底的部分側面，并且通過粘合層將電池初成品粘設于臨時襯底上；

S4、對所述鍺襯底處理以減薄所述鍺襯底厚度直至露出所述蝕刻槽中的粘合層，使得所述蝕刻槽將所述電池初成品分隔成多個芯片初成品；

S5、在所述電池初成品上從設置所述鍺襯底一面去除部分粘合層，使得鍺襯底凸出于所述粘合層的表面；

S6、在所述電池初成品上從設置所述鍺襯底一面蒸鍍背面電極層，使得背面電極層覆蓋于所述鍺襯底的裸露表面；

S7、去除所述粘合層以及臨時襯底；

S8、將位于所述蝕刻槽處的背面電極層斷開以形成多個太陽能電池芯片。

2.根據權利要求1所述的一種太陽能電池芯片的制作方法，其特征在于，還包括步驟：S9、對所述太陽能電池芯片退火處理以使得所述正面電極層與太陽能功能層融合接觸以形成歐姆接觸層。

3.根據權利要求2所述的一種太陽能電池芯片的制作方法，其特征在于：在S8中，研磨位于所述蝕刻槽處的背面電極層以使得所述背面電極層斷開，并且所述背面電極層在所述鍺襯底的邊緣形成有上沿部，背面電極的底面與所述上沿部的外表面之間通過研磨形成第一弧形過渡面。

4.根據權利要求2所述的一種太陽能電池芯片的制作方法，其特征在于：在S5中，利用硝酸、氫氟酸和冰乙酸的混合溶液腐蝕凸出于所述粘合層的表面的鍺襯底，以使得所述鍺襯底的底面與所述鍺襯底的側面之間設置有第二弧形過渡面。

5.根據權利要求2所述的一種太陽能電池芯片的制作方法，其特征在于：所述粘合層為石蠟材料，在S7中，利用除蠟液去除所述粘合層以及臨時襯底。