[發明專利]蝕刻治具、蝕刻裝置及蝕刻方法在審
| 申請號： | 202011585283.2 | 申請日： | 2020-12-28 |
| 公開（公告）號： | CN112635389A | 公開（公告）日： | 2021-04-09 |
| 發明（設計）人： | 張續朋;楊彥偉;劉宏亮 | 申請（專利權）人： | 芯思杰技術（深圳）股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/687 | 分類號： | H01L21/687;H01L21/67;H01L21/306 |
| 代理公司： | 深圳智匯遠見知識產權代理有限公司 44481 | 代理人： | 艾青;牛悅涵 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市南*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 蝕刻 裝置 方法 | ||
1.一種蝕刻治具，其特征在于，所述蝕刻治具用于安裝在蝕刻機上并能夠在蝕刻機上旋轉，所述蝕刻治具包括治具本體，所述治具本體上開設有凹槽，所述凹槽的內壁形成用于放置待蝕刻晶片的蝕刻區域，且所述治具本體的邊緣還形成有排液口。
2.根據權利要求1所述的蝕刻治具，其特征在于：所述凹槽的底壁形成的表面為圓弧面。
3.根據權利要求1或2所述的蝕刻治具，其特征在于：所述排液口為自所述凹槽的側壁貫穿至所述治具本體外表面的通孔。
4.根據權利要求3所述的蝕刻治具，其特征在于：所述排液口設有多個，且多個所述排液口沿著所述治具本體的邊緣均勻設置。
5.根據權利要求1所述的蝕刻治具，其特征在于：所述治具本體的截面形狀呈圓形。
6.一種蝕刻裝置，其特征在于，包括如權利要求1至5任意一項所述的蝕刻治具以及蝕刻機，所述蝕刻機包括蝕刻液缸以及噴嘴，所述蝕刻治具位于所述蝕刻液缸內，并能夠在所述蝕刻液缸內旋轉，所述噴嘴位于所述蝕刻治具的上方，且所述噴嘴用于噴灑蝕刻液。
7.根據權利要求6所述的蝕刻裝置，其特征在于：所述噴嘴在所述蝕刻治具上的投影位于所述蝕刻治具的中心位置。
8.一種蝕刻方法，其特征在于，包括：
將待蝕刻晶片放置在如權利要求6或7所述的蝕刻裝置內；
使所述蝕刻治具在所述蝕刻液缸內旋轉；以及
將所述噴嘴打開對待蝕刻晶片噴灑蝕刻液，多余的蝕刻液會從所述排液口流出。
9.根據權利要求8所述的蝕刻方法，其特征在于：所述將待蝕刻晶片放置在所述蝕刻裝置內包括：
將待蝕刻晶片放置在所述凹槽內的邊緣位置。
10.根據權利要求8所述的蝕刻方法，其特征在于：所述將所述噴嘴打開對待蝕刻晶片噴灑蝕刻液為將所述噴嘴打開呈扇形狀對待蝕刻晶片噴灑蝕刻液。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
