[發明專利]聚醚醚酮/可熔性聚四氟乙烯復合膜及其制備方法及應用

在審

• 申請號: 202011585199.0
• 申請日: 2020-12-28
• 公開（公告）號: CN112743736A
• 公開（公告）日: 2021-05-04
• 發明（設計）人: 黃志輝;種發瑞;趙經緯
• 申請（專利權）人: 九江天賜高新材料有限公司
• 主分類號: B29C43/24
• 分類號: B29C43/24;B29C43/26;B32B27/32;B32B27/42;B32B27/08;B32B37/15;B32B38/00;B01J19/02
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 林青中

1.一種聚醚醚酮/可熔性聚四氟乙烯復合膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

分別將聚醚醚酮和可熔性聚四氟乙烯熔融，分別制備聚醚醚酮熔體與可熔性聚四氟乙烯熔體；

分別將所述聚醚醚酮熔體與所述可熔性聚四氟乙烯熔體進行多級壓延，分別制備聚醚醚酮薄膜與可熔性聚四氟乙烯薄膜；

將所述聚醚醚酮薄膜與所述可熔性聚四氟乙烯薄膜復合壓延。

2.根據權利要求1所述的聚醚醚酮/可熔性聚四氟乙烯復合膜的制備方法，其特征在于，還包括在所述復合壓延后對得到的復合薄膜產品進行淬火處理的步驟。

3.根據權利要求2所述的聚醚醚酮/可熔性聚四氟乙烯復合膜的制備方法，其特征在于，所述淬火的溫度條件為-5℃～10℃。

4.根據權利要求1所述的聚醚醚酮/可熔性聚四氟乙烯復合膜的制備方法，其特征在于，對所述聚醚醚酮熔體進行多級壓延包括如下步驟：

將所述聚醚醚酮熔體進行第一級壓延，制備所述聚醚醚酮的初級薄膜；

將所述聚醚醚酮的初級薄膜進行第二級壓延，制備所述聚醚醚酮的二級薄膜；

將所述聚醚醚酮的二級薄膜進行第三級壓延，制備所述聚醚醚酮薄膜；

其中，所述聚醚醚酮的初級薄膜的膜厚為500μm～1000μm，所述聚醚醚酮的初級薄膜的膜溫為305℃～320℃；

所述聚醚醚酮的二級薄膜的膜厚為100μm～200μm，所述聚醚醚酮的二級薄膜的膜溫為280℃～310℃；

所述聚醚醚酮薄膜的膜厚為10μm～30μm，所述聚醚醚酮薄膜的膜溫為260℃～300℃。

5.根據權利要求1所述的聚醚醚酮/可熔性聚四氟乙烯復合膜的制備方法，其特征在于，對所述可熔性聚四氟乙烯熔體進行多級壓延包括如下步驟：

將所述可熔性聚四氟乙烯熔體進行第一級壓延，制備所述可熔性聚四氟乙烯的初級薄膜；

將所述可熔性聚四氟乙烯的初級薄膜進行第二級壓延，制備所述可熔性聚四氟乙烯薄膜；

其中，所述可熔性聚四氟乙烯的初級薄膜的膜厚為100μm～300μm，所述可熔性聚四氟乙烯的初級薄膜的膜溫為260℃～280℃；

所述可熔性聚四氟乙烯薄膜的膜厚為10μm～30μm，所述可熔性聚四氟乙烯薄膜的膜溫為240℃～270℃。

6.根據權利要求1所述的聚醚醚酮/可熔性聚四氟乙烯復合膜的制備方法，其特征在于，所述聚醚醚酮薄膜與所述可熔性聚四氟乙烯薄膜的膜厚之和在50μm以下。

7.根據權利要求1～6任一項所述的聚醚醚酮/可熔性聚四氟乙烯復合膜的制備方法，其特征在于，所述聚醚醚酮/可熔性聚四氟乙烯復合膜的膜厚為20μm～40μm；所述聚醚醚酮/可熔性聚四氟乙烯復合膜的膜溫為240℃～270℃。

8.根據權利要求1～6任一項所述的聚醚醚酮/可熔性聚四氟乙烯復合膜的制備方法，其特征在于，所述聚醚醚酮的熔融溫度為350℃～370℃；及/或

所述可熔性聚四氟乙烯的熔融溫度為310℃～340℃。

9.根據權利要求1～6任一項所述的聚醚醚酮/可熔性聚四氟乙烯復合膜的制備方法，其特征在于，在380℃溫度與5Kg壓力下，所述聚醚醚酮的熔融指數為1～80g/10min。

10.根據權利要求1～6任一項所述的聚醚醚酮/可熔性聚四氟乙烯復合膜的制備方法，其特征在于，在372℃溫度與5Kg壓力下，所述可熔性聚四氟乙烯的熔融指數為1～20g/10min。

11.一種如權利要求1～10任一項所述的聚醚醚酮/可熔性聚四氟乙烯復合膜的制備方法制得的聚醚醚酮/可熔性聚四氟乙烯復合膜。

12.權利要求11所述的聚醚醚酮/可熔性聚四氟乙烯復合膜在制造耐腐蝕反應裝置中的應用。