[發明專利]一種利用電化學方法單步制備三角形銅納米片的方法

有效

• 申請號: 202011584686.5
• 申請日: 2020-12-28
• 公開（公告）號: CN112795961B
• 公開（公告）日: 2021-11-02
• 發明（設計）人: 劉曉偉;楊寶朔;艾遠
• 申請（專利權）人: 武漢大學
• 主分類號: C25D3/38
• 分類號: C25D3/38;B82Y40/00;B82Y30/00
• 代理公司: 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102
• 代理人: 李艷景

1.一種利用電化學方法單步制備三角形銅納米片的方法，其特征在于，包含如下步驟：

S1、準備電解反應池，電解反應池包括培養皿、陰極載板、陽極探針和穩壓直流電源；

S2、將銅片生長基底置于陰極載板上，將陰極載板置于培養皿底部，將CuSO₄電解液倒入培養皿中，將陽極探針正對銅片生長基底中心垂直插入電解液并距銅片生長基底一段距離，將穩壓直流電源的陽極與陽極探針連接，陰極與陰極載板連接，其中所述CuSO₄電解液濃度為50～150g/L；

S3、調節電解反應池溫度，開啟穩壓直流電源通電進行電解，通電一段時間后即在銅片生長基底上表面生長出三角形銅納米片，其中穩壓直流電源的通電參數為：電壓10～20V，電流0.4～0.8A，時間8～12h。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S2中，陽極探針與銅片生長基底之間的距離為6～10mm。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S2中，陽極探針為鎢針，直徑為2～6mm。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S2中，銅片生長基底的制備為：將銅片退火處理，然后進行拋光處理，得到銅片生長基底；其中：退火處理的條件為450～550℃下退火1.5～2.5h，結束后將銅片置入蒸餾水中迅速冷卻；拋光工藝為：先用砂紙手工粗磨至3000-5000目，再通過拋光機進行拋光至拋光機的砂紙目數最高為7000～8000目。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S2中，銅片生長基底的形狀為圓形或正方形，圓形直徑或正方形邊長為8～12mm；銅片生長基底厚度為1～2mm。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S2中，銅片生長基底成分為紫銅。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S3中，調節電解反應池溫度為15～25℃。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S3中，穩壓直流電源的通電參數為：電壓10～15V，電流0.4～0.6A，時間8～10h。