[發明專利]一種反激同步整流電路

有效

• 申請號: 202011584117.0
• 申請日: 2020-12-28
• 公開（公告）號: CN112821768B
• 公開（公告）日: 2022-07-29
• 發明（設計）人: 張藝蒙;孫世凱;郭輝;張玉明;吳勇
• 申請（專利權）人: 西安電子科技大學蕪湖研究院;西安電子科技大學
• 主分類號: H02M3/335
• 分類號: H02M3/335
• 代理公司: 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230
• 代理人: 劉長春

本發明公開了一種反激同步整流電路，包括：第一同步整流模塊，用于產生與原邊MOSFET的控制信號互補的副邊驅動控制信號；第二同步整流模塊，用于根據副邊MOSFET的漏極電平和源極電平產生同步整流控制信號；同步整流信號處理模塊，用于采集副邊驅動控制信號的和同步整流控制信號，并根據所述副邊驅動控制信號的上升沿和所述驅動控制信號的下降沿得到所述副邊MOSFET的驅動信號；副邊驅動模塊，所述副邊驅動模塊用于利用驅動信號驅動所述副邊MOSFET。整個反激同步整流電路可以在開始導通和關斷時刻均提高反激電路的效率，既可以提高輕載時的效率也可以提高重載時的效率；同時可以抑制次級側的電壓尖峰，提高電路可靠性。

技術領域

本發明屬于電力電子技術領域，具體涉及一種反激同步整流電路。

背景技術

同步整流電路應用廣泛，能顯著提高電源模塊的轉換效率。當同步整流電路在輕載或空載時，電感電流不連續，此時完全與輸入反向的同步整流信號會導致輸出出現反向電流，在電路中產生多余的環流，增加輕載和空載損耗，在并聯時還可能在次級產生電壓尖峰，對同步整流管造成損傷；而檢測輸出與變壓器電平關系的同步整流技術，由于采樣以及信號產生延時，會使同步整流在開啟前出現二極管導通，增加損耗。

四川甘華電源科技有限公司在其專利申請文件“同步整流切換電路及同步整流電路”中公開了一種同步整流切換電路及同步整流電路，該電路通過比較同步整流電路中的輸出電壓或輸入電流與基準值的大小，并可以通過控制電路根據比較結果以及PWM(PulseWidth Modulation，脈沖寬度調制)時鐘控制信號，輸出開啟信號或關閉信號。由于控制電路的輸出信號與PWM時鐘控制信號相關，使得控制電路可以在PWM信號結束時輸出控制信號，從而使得同步整流電路可以在電流為正向被關閉。使同步整流電路在輕載或空載時不會出現環流，在關閉時刻也不會出現電壓尖峰，位于次級的場效應管也就不會出現被電壓尖峰擊穿的情況。同時在輕載或空載時關閉同步整流，可以提高同步整流電路的可靠性，并降低同步整流電路的空載損耗。該電路電壓開啟時間由取樣電路和基準值比較得到，延時較大，導致開啟時同步整流MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor，金屬-氧化物半導體場效應晶體管)的體二極管導通損耗較大，關斷時采用檢測輸入電流和輸出電平，時間較長，關斷時間會晚于實際零電流時刻，會產生小的環流。

因此，研制一種電路開啟時間準確，降低同步整流MOSFET體二極管導通時間，關斷時間準確，最高限度降低環流的同步整流技術已經成為亟待解決的問題。

發明內容

為了解決現有技術中存在的上述問題，本發明提出了一種反激同步整流電路。本發明要解決的技術問題通過以下技術方案實現：

一種反激同步整流電路，包括：

第一同步整流模塊，所述第一同步整流模塊用于產生與原邊MOSFET的控制信號互補的副邊驅動控制信號；

第二同步整流模塊，所述第二同步整流模塊用于根據副邊MOSFET的漏極電平和源極電平產生同步整流控制信號；

同步整流信號處理模塊，所述第一同步整流模塊和所述第二同步整流模塊連接所述同步整流信號處理模塊，所述同步整流信號處理模塊用于采集副邊驅動控制信號的和同步整流控制信號，并根據所述副邊驅動控制信號的上升沿和所述驅動控制信號的下降沿得到所述副邊MOSFET的驅動信號；

副邊驅動模塊，所述同步整流信號處理模塊連接所述副邊驅動模塊，所述副邊驅動模塊用于利用驅動信號驅動所述副邊MOSFET。

在本發明的一個實施例中，所述第一同步整流模塊具體用于通過隔離方式產生與原邊MOSFET的控制信號互補的副邊驅動控制信號。