[發(fā)明專利]一種低介電聚芳酰胺液晶復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011583423.2
• 申請日: 2020-12-28
• 公開（公告）號: CN112625439A
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王賢文;黃文剛;張海良;饒先花;譚麟;黃華鵬;胡三友;楊思思
• 申請（專利權(quán)）人: 廣東優(yōu)巨先進(jìn)新材料股份有限公司
• 主分類號: C08L77/10
• 分類號: C08L77/10;C08L27/18;C08K7/28;C08K7/14;C08K7/26;C08K7/00;C08K3/36
• 代理公司: 廣州致信偉盛知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44253
• 代理人: 李東來

1.一種低介電聚芳酰胺液晶復(fù)合材料，其特征在于，按重量份數(shù)計(jì)，包括如下組分：

聚芳酰胺液晶聚合物 40~85份；

填充物 5~40份；

玻璃纖維 10~30份。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低介電聚芳酰胺液晶復(fù)合材料，其特征在于，所述的聚芳酰胺液晶聚合物由如下述式（Ⅰ）~式（Ⅳ）的重復(fù)單元構(gòu)成：

式（Ⅰ）

式（Ⅱ）

式（Ⅲ）

式（Ⅳ）

以所述的式（Ⅰ）~式（Ⅳ）重復(fù)單元的摩爾總量為100mol%計(jì)，所述的式（Ⅰ）重復(fù)單元含量小于或等于100mol%且不等于0；所述的式（Ⅱ）重復(fù)單元含量小于100mol%；所述的式（Ⅲ）重復(fù)單元含量小于100mol%；所述的式（Ⅳ）重復(fù)單元含量小于100mol%；

其中，R1的結(jié)構(gòu)選自式（Ⅴ）、式（Ⅵ）或式（Ⅶ）中的任意一種或幾種；優(yōu)選的，所述R1的結(jié)構(gòu)選自式（Ⅴ）中的任意一種或幾種；

式（Ⅴ）

式（Ⅵ）

式（Ⅶ）

其中，R₂選自、、、雜環(huán)芳香基團(tuán)或多環(huán)芳香基團(tuán)中的任意一種；所述n為大于或等于1的正整數(shù)；所述R₃選自、、、、、、、、氧原子、硫原子或高于6個碳原子的直鏈或支化的脂肪族二價基團(tuán)中的任意一種，其中，n₂為1~6的正整數(shù)；所述雜環(huán)芳香基團(tuán)是指構(gòu)成環(huán)的原子除碳原子外，還至少含有一個雜原子的芳香基團(tuán)；所述多環(huán)芳香基團(tuán)是指兩個或兩個以上苯環(huán)以稠環(huán)形式相連的芳香基團(tuán)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的低介電聚芳酰胺液晶復(fù)合材料，其特征在于，所述的聚芳酰胺液晶聚合物中，所述的式（Ⅰ）重復(fù)單元含量為50mol%~100mol%；所述的式（Ⅱ）重復(fù)單元含量小于等于50mol%；所述的式（Ⅲ）重復(fù)單元含量小于等于50mol%；所述的式（Ⅳ）重復(fù)單元含量小于等于50mol%；優(yōu)選的，所述的式（Ⅱ）、式（Ⅲ）和式（Ⅳ）重復(fù)單元的含量均不等于0。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的低介電聚芳酰胺液晶復(fù)合材料，其特征在于，所述聚芳酰胺液晶聚合物的重均分子量為2萬~10萬；所述聚芳酰胺液晶聚合物的特性粘度為 0.8dL/g ~2.5dL/g。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的低介電聚芳酰胺液晶復(fù)合材料，其特征在于，優(yōu)選的，所述聚芳酰胺液晶聚合物的重均分子量為5萬~10萬；更優(yōu)選的，所述聚芳酰胺液晶聚合物的重均分子量為6萬~8萬。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低介電聚芳酰胺液晶復(fù)合材料，其特征在于，所述的填充物選自聚四氟乙烯、中空玻璃微珠、介孔氧化硅、二氧化硅管、籠型聚倍半硅氧烷、陶瓷納米粒子、聚4-甲基-1-戊稀或四氟乙烯-六氟丙烯共聚物中的任意一種或幾種；所述的玻璃纖維選自短切玻璃纖維。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低介電聚芳酰胺液晶復(fù)合材料，其特征在于，按重量份數(shù)計(jì)，還包括0.1~0.5份的抗氧劑；所述的抗氧劑選自四[β-（3，5-二叔丁基-4-羥基苯基）丙酸]季戊四醇酯、β-（3,5-二叔丁基-4-羥基苯基）丙酸正十八碳醇酯、1，3，5-三甲基-2，4，6-（3，5-二叔丁基-4-羥基苯甲基）苯、2,8一二叔丁基-4一甲基苯酚中的任意一種或幾種。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低介電聚芳酰胺液晶復(fù)合材料，其特征在于，按重量份數(shù)計(jì)，還包括0.2~0.3份的吸酸劑；所述的吸酸劑選自氧化鋁、氧化鈣、氧化鎂中的任意一種或幾種。

9.根據(jù)權(quán)利要求1~8任一項(xiàng)所述的低介電聚芳酰胺液晶復(fù)合材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：按照配比，將各組分加入到雙螺桿擠出機(jī)，進(jìn)行熔融混煉，擠出造粒，制得低介電聚芳酰胺液晶復(fù)合材料。

10.根據(jù)權(quán)利要求1~8任一項(xiàng)所述的低介電聚芳酰胺液晶復(fù)合材料的應(yīng)用，其特征在于，應(yīng)用于5G產(chǎn)品設(shè)備、航天航空、精密機(jī)械、石油化工、汽車薄壁耐熱制件、超薄壁化電氣零部件或食品餐具領(lǐng)域。