[發(fā)明專利]高性能電磁屏蔽NdB6 有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011583226.0 | 申請日： | 2021-02-22 |
| 公開（公告）號： | CN112573925B | 公開（公告）日： | 2022-09-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 吳事江;林楊;楊盼盼;趙金明;張合軍;李拯;楊煥順 | 申請（專利權(quán)）人： | 山東合創(chuàng)明業(yè)精細陶瓷有限公司;淄博星澳新材料研究院有限公司;山東億萊盛新材料科技有限公司;淄博啟明星新材料股份有限公司 |
| 主分類號： | C04B35/58 | 分類號： | C04B35/58;C04B35/622;C04B35/626;C04B35/645 |
| 代理公司： | 青島發(fā)思特專利商標(biāo)代理有限公司 37212 | 代理人： | 耿霞 |
| 地址： | 255000 山東*** | 國省代碼： | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 性能 電磁 屏蔽 ndb base sub | ||
1.一種高性能電磁屏蔽NdB6/SiO2復(fù)相陶瓷材料的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：
（1）合成六硼化釹粉體：將三氧化二釹和碳化硼采用濕法混合后，進行真空干燥，然后通過高溫硼碳熱還原反應(yīng)，合成六硼化釹粉體；
（2）制備NdB6/SiO2復(fù)相陶瓷：將六硼化釹和二氧化硅粉末采用濕法混合后，進行真空干燥，然后經(jīng)高溫?zé)釅簾Y(jié)，制得高性能電磁屏蔽NdB6/SiO2復(fù)相陶瓷材料；
步驟（1）中，三氧化二釹和碳化硼的摩爾比為Nd2O3:B4C=1:3.1-3.4；
步驟（1）中，三氧化二釹的純度≥99.9wt%，粒度為1-5μm；碳化硼的純度≥98wt%，粒度為50-70μm；
步驟（1）中，高溫硼碳熱還原反應(yīng)的氣氛為真空，真空度為0.001-1Pa，反應(yīng)溫度為1400-1700℃，升溫速率為10-20℃/min，反應(yīng)時間為1-4h；
步驟（2）中，高溫?zé)釅簾Y(jié)的條件為：燒結(jié)溫度1400-1650℃，壓力20-30MPa，保溫時間0.5-2h；
步驟（1）和步驟（2）中，真空干燥溫度均為25-50℃，干燥時間均為8-48h；
步驟（2）中，以重量比計，NdB6/SiO2復(fù)相陶瓷的成分組成為NdB6:SiO2=85-98:15-2。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高性能電磁屏蔽NdB6/SiO2復(fù)相陶瓷材料的制備方法，其特征在于：步驟（1）和步驟（2）中，濕法混合條件均為：以瑪瑙球和無水乙醇為混合介質(zhì)，轉(zhuǎn)速為80-150r/min，混合時間為8-24h。
3.一種根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法制備得到的高性能電磁屏蔽NdB6/SiO2復(fù)相陶瓷材料。
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