[發(fā)明專利]一種N型TopCOn太陽能電池的背面金屬電極及制備方法和電池有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011582094.X | 申請日： | 2020-12-28 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN112687755B | 公開（公告）日： | 2023-03-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 豐明璋;楊金芳;何勝;徐偉智 | 申請（專利權(quán)）人： | 正泰新能科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L31/0224 | 分類號(hào)： | H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 杭州杭誠專利事務(wù)所有限公司 33109 | 代理人： | 尉偉敏 |
| 地址： | 314400 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 topcon 太陽能電池 背面 金屬電極 制備 方法 電池 | ||
1.一種N型TopCOn太陽能電池，其特征在于，所述N型TopCOn太陽能電池采用如下方法制備的背面金屬電極：
(1)在基底的背面由LPCVD的方式沉積SiOx/Poly-Si膜層，并在Poly-Si膜層上通過P擴(kuò)散形成N+摻雜層，再以LPCVD的方式沉積背面SiNxHy膜層；
(2)用銀漿在背面SiNxHy膜層上印刷形成若干根相互垂直的第一銀細(xì)柵和第一銀主柵；
(3)用鋁漿在第一銀細(xì)柵上疊加印刷形成第二鋁細(xì)柵，并在第一銀主柵的各段間和各段的周圍印刷形成第二鋁主柵；
所述第一銀細(xì)柵的根數(shù)為106～122，寬度為25～40um，高度為5～10um；
第一銀主柵的根數(shù)為5～12，每根主柵內(nèi)的段數(shù)為4～12，每段長度為2～8mm，寬度為0.1～2mm，高度為4～8um；
第二鋁細(xì)柵的根數(shù)為106～122，寬度為35～45um，高度為10～20um；
第二鋁主柵的根數(shù)為5～12根，寬度為0.3～3.0mm，高度10～30um；
背面SiOx膜層厚度為1～8nm，Poly-Si膜層厚為100～200nm，背面SiNxHy膜層厚度50～100nm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的N型TopCOn太陽能電池，其特征在于，基底的正面包括通過B擴(kuò)散形成的P+層、由ALD或PECVD的方式沉積的AlOx膜層和PECVD的方式沉積的正面SiNxHy膜層組成的正面減反膜、在正面減反膜上印刷形成的金屬柵線電極；
AlOx膜層厚為2～15nm，正面SiNxHy膜層厚為50～100nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的太陽能電池，其特征在于，金屬柵線電極由銀/鋁漿印刷燒結(jié)形成。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
