[發(fā)明專利]一種顯示面板及其制備方法、顯示裝置

有效

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• 申請日: 2020-12-28
• 公開（公告）號: CN112687782B
• 公開（公告）日: 2022-05-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉盛娟;夏興達;符鞠建
• 申請（專利權(quán)）人: 廈門天馬微電子有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/58;H01L33/62;H01L25/075;H01L25/16
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

1.一種顯示面板的制備方法，其特征在于，包括：

制備發(fā)光二極管的外延結(jié)構(gòu)，所述外延結(jié)構(gòu)包括依次疊層設(shè)置的襯底、第一類型半導(dǎo)體層、發(fā)光材料層和第二類型半導(dǎo)體層；

在所述外延結(jié)構(gòu)中制備光線阻隔結(jié)構(gòu)和第一電極，在所述第二類型半導(dǎo)體層遠離所述襯底一側(cè)的表面制備第二電極；所述光線阻隔結(jié)構(gòu)限定所述發(fā)光二極管的至少一個設(shè)置邊界；所述第一電極與所述第一類型半導(dǎo)體層電連接；所述第二電極與所述第二類型半導(dǎo)體層電連接；

提供驅(qū)動背板，所述驅(qū)動背板包括驅(qū)動電路層，所述驅(qū)動電路層包括第一電極連接端子和第二電極連接端子；

電連接所述第一電極與所述第一電極連接端子，電連接所述第二電極與所述第二電極連接端子，得到顯示面板。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述外延結(jié)構(gòu)中制備光線阻隔結(jié)構(gòu)和第一電極，包括：

在所述外延結(jié)構(gòu)中制備多個第一凹槽和多個第二凹槽，所述第一凹槽至少限定所述發(fā)光二極管的第一設(shè)置邊界和第二設(shè)置邊界，所述第一設(shè)置邊界和所述第二設(shè)置邊界相互連接；所述第一凹槽貫穿所述第二類型半導(dǎo)體層、所述發(fā)光材料層和所述第一類型半導(dǎo)體層，所述第二凹槽至少貫穿所述第二類型半導(dǎo)體層和所述發(fā)光材料層；

在所述第一凹槽內(nèi)制備光線阻隔結(jié)構(gòu)，在所述第二凹槽內(nèi)制備第一電極；所述光線阻隔結(jié)構(gòu)與所述第二類型半導(dǎo)體層、所述發(fā)光材料層和所述第一類型半導(dǎo)體層絕緣；所述第一電極與所述第一類型半導(dǎo)體層電連接，與所述第二類型半導(dǎo)體層和所述發(fā)光材料層絕緣。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述第一凹槽限定所述發(fā)光二極管的每個設(shè)置邊界，且所述第一凹槽在所述第二類型半導(dǎo)體層上的正投影為環(huán)形。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，在所述第一凹槽內(nèi)制備光線阻隔結(jié)構(gòu)，在所述第二凹槽內(nèi)制備第一電極，包括：

采用同種工藝，在所述第一凹槽和所述第二凹槽內(nèi)填充絕緣材料；

采用同種工藝，刻蝕所述第一凹槽內(nèi)的所述絕緣材料和所述第二凹槽內(nèi)的所述絕緣材料；在所述第一凹槽內(nèi)得到第一絕緣結(jié)構(gòu)，所述第一絕緣結(jié)構(gòu)覆蓋所述第一凹槽的側(cè)壁；在所述第二凹槽內(nèi)得到第二絕緣結(jié)構(gòu)，所述第二絕緣結(jié)構(gòu)覆蓋所述第二凹槽中與所述發(fā)光材料層以及所述第二類型半導(dǎo)體層對應(yīng)部分的側(cè)壁；

在所述第一絕緣結(jié)構(gòu)限定的空間內(nèi)制備光線阻隔結(jié)構(gòu)，在所述第二絕緣結(jié)構(gòu)限定的空間內(nèi)制備第一電極。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，在所述第一絕緣結(jié)構(gòu)限定的空間內(nèi)制備光線阻隔結(jié)構(gòu)，包括：

采用滴入方式，在所述第一絕緣結(jié)構(gòu)限定的空間內(nèi)滴入散射金屬粒子，所述散射金屬粒子包括納米銀粒子以及納米鋁粒子中的至少一種；

在所述第二絕緣結(jié)構(gòu)內(nèi)限定的空間內(nèi)制備第一電極，包括：

采用滴入方式，在所述第二絕緣結(jié)構(gòu)內(nèi)限定的空間內(nèi)滴入導(dǎo)電金屬粒子，所述導(dǎo)電金屬粒子包括金粒子以及錫粒子中的至少一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述外延結(jié)構(gòu)中制備光線阻隔結(jié)構(gòu)和第一電極，包括：

在所述外延結(jié)構(gòu)中制備多個第三凹槽，所述第三凹槽限定所述發(fā)光二極管的至少一個設(shè)置邊界；所述第三凹槽至少貫穿所述第二類型半導(dǎo)體層和所述發(fā)光材料層；

在所述第三凹槽內(nèi)制備相互電連接的第一金屬分部和第二金屬分部，所述第一金屬分部與所述第一類型半導(dǎo)體層電連接，所述第二金屬分部與所述發(fā)光材料層和所述第二類型半導(dǎo)體層絕緣；所述第一金屬分部和所述第二金屬分部同時作為所述光線阻隔結(jié)構(gòu)和所述第一電極。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，在所述第三凹槽內(nèi)制備相互電連接的第一金屬分部和第二金屬分部，包括：

在所述第三凹槽靠近所述襯底的一側(cè)制備所述第一金屬分部；

在所述第一金屬分部遠離所述襯底的一側(cè)制備所述第二金屬分部；所述第二金屬分部與所述第一金屬分部材料不同。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述第一金屬分部和所述第二金屬分部材料相同且一體制備。