[發(fā)明專利]發(fā)光二極管芯片及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011581586.7
• 申請日: 2020-12-28
• 公開（公告）號: CN112614920B
• 公開（公告）日: 2022-05-24
• 發(fā)明（設計）人: 楊力勛;蔡琳榕;朱立欽;連文黎;劉雙良;喬錦
• 申請（專利權）人: 廈門市三安光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20;H01L33/12;H01L33/00
• 代理公司: 北京漢之知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 11479
• 代理人: 王立紅

1.一種發(fā)光二極管芯片，其特征在于，包括：

基板，其上表面包括發(fā)光區(qū)域和環(huán)繞于所述發(fā)光區(qū)域之外的切割區(qū)域；

功能層，鋪設在所述發(fā)光區(qū)域和切割區(qū)域；所述功能層上表面配置有發(fā)光二極管臺面；所述發(fā)光二極管臺面包括第一子半導體外延層；

所述切割區(qū)域劃分為第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域和第二區(qū)域沿所述發(fā)光二極管臺面周向間隔設置，所述第一區(qū)域形成有凸臺，所述凸臺由所述功能層向上延伸得到，所述凸臺的高度不高于所述發(fā)光二極管臺面的高度；所述凸臺與所述發(fā)光二極管臺面間隔預定距離。

2.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述第一區(qū)域在發(fā)光二極管臺面周向上的長度總和L₁與所述第二區(qū)域在發(fā)光二極管臺面周向上的長度總和L₂的比值介于5～20。

3.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述切割區(qū)域包括至少一個所述第二區(qū)域。

4.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述凸臺與所述發(fā)光二極管臺面等高。

5.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述凸臺的高度H₁與所述發(fā)光二極管臺面高度H₂的比值介于0.1～0.9。

6.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述第一區(qū)域還包括第二子半導體外延層，所述第二子半導體外延層覆蓋所述凸臺的表面及側(cè)壁。

7.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述凸臺與所述發(fā)光二極管臺面之間還包括第二子半導體外延層，所述第二子半導體外延層覆蓋部分所述第一區(qū)域。

8.根據(jù)權利要求1～7中任一項所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述功能層自下至上包括金屬層、第一絕緣層、導電層和阻擋層；所述凸臺由所述功能層中的所述金屬層、第一絕緣層和阻擋層向上延伸得到。

9.根據(jù)權利要求8所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述發(fā)光二極管臺面包括一個導電柱；所述第一子半導體外延層自上而下包括第一類型半導體層、有源層和第二類型半導體層，所述導電柱自所述金屬層延伸至第一類型半導體層內(nèi)部。

10.一種發(fā)光二極管芯片的制備方法，其特征在于，包括：

在襯底上形成半導體外延層；

刻蝕所述半導體外延層，形成第一溝槽和第二溝槽；所述第一溝槽為間斷分布的環(huán)形結構，用于形成凸臺；所述第二溝槽用于形成導電柱；

在所述半導體外延層上形成功能層；并將所述功能層固定在基板上；

去除所述襯底；刻蝕所述半導體外延層，形成發(fā)光二極管臺面，環(huán)繞于所述發(fā)光二極管臺面之外的區(qū)域為切割區(qū)域；所述切割區(qū)域包括沿所述發(fā)光二極管臺面周向間隔設置的第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域形成有凸臺。

11.根據(jù)權利要求10所述的發(fā)光二極管芯片的制備方法，其特征在于，所述在所述半導體外延層上形成功能層的步驟包括：

在所述半導體外延層的表面、所述第一溝槽的側(cè)壁和底部形成阻擋層；

在位于半導體外延層表面的所述阻擋層上形成導電層；

在所述導電層表面、所述第一溝槽的側(cè)壁和底部以及所述第二溝槽的側(cè)壁形成第一絕緣層；

在所述第一絕緣層的表面、所述第一溝槽和第二溝槽內(nèi)部形成金屬層。

12.根據(jù)權利要求10所述的發(fā)光二極管芯片的制備方法，其特征在于，在所述第一區(qū)域形成有凸臺的步驟中，所述第一區(qū)域還包括第二子半導體外延層；所述第二子半導體外延層覆蓋所述凸臺的表面及側(cè)壁；或者，所述第二子半導體外延層覆蓋所述凸臺與所述發(fā)光二極管臺面之間的部分區(qū)域。