[發(fā)明專利]熱解吸-大氣壓冷等離子體離子源質(zhì)譜分析裝置和用其檢測阿維菌素類化合物的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011581355.6
• 申請日: 2020-12-28
• 公開（公告）號: CN112557165A
• 公開（公告）日: 2021-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳劍松;周鵬;洪義;黃保
• 申請（專利權(quán)）人: 廣州禾信儀器股份有限公司
• 主分類號: G01N1/44
• 分類號: G01N1/44;G01N27/62
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 馮潔

1.一種熱解吸-大氣壓冷等離子體離子源質(zhì)譜分析裝置，其特征在于，包括：

樣品加熱裝置，所述樣品加熱裝置包括加熱部，所述加熱部用于放置和加熱樣品；

大氣壓冷等離子體發(fā)生裝置，沿設(shè)定方向，所述大氣壓冷等離子體發(fā)生裝置分布于所述加熱部的一側(cè)；

質(zhì)譜儀，沿所述設(shè)定方向，所述質(zhì)譜儀分布于所述加熱部的另一側(cè)，且所述大氣壓冷等離子體發(fā)生裝置的出口朝向所述質(zhì)譜儀的入口。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱解吸-大氣壓冷等離子體離子源質(zhì)譜分析裝置，其特征在于，所述樣品加熱裝置包括傳送組件和加熱組件，所述加熱組件設(shè)置于所述傳送組件的下方，所述傳送組件與所述加熱組件相對處為所述加熱部。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的熱解吸-大氣壓冷等離子體離子源質(zhì)譜分析裝置，其特征在于，所述傳送組件包括傳送帶，所述傳送帶具有支撐面，所述加熱組件設(shè)置于所述支撐面的下方，所述支撐面與所述加熱組件相對處為所述加熱部。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的熱解吸-大氣壓冷等離子體離子源質(zhì)譜分析裝置，其特征在于，所述加熱組件包括加熱平臺和加熱棒，所述加熱平臺設(shè)置于所述傳送組件的下方，所述加熱棒插接于所述加熱平臺，所述傳送組件與所述加熱棒相對處為所述加熱部。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱解吸-大氣壓冷等離子體離子源質(zhì)譜分析裝置，其特征在于，所述熱解吸-大氣壓冷等離子體離子源質(zhì)譜分析裝置還包括輔助電極，所述輔助電極插接于所述大氣壓冷等離子體發(fā)生裝置的出口處。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的熱解吸-大氣壓冷等離子體離子源質(zhì)譜分析裝置，其特征在于，所述輔助電極為空心圓管。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱解吸-大氣壓冷等離子體離子源質(zhì)譜分析裝置，其特征在于，所述質(zhì)譜儀的入口朝向水平方向分布，所述大氣壓冷等離子體發(fā)生裝置的出口的朝向與所述質(zhì)譜儀的入口的朝向呈夾角設(shè)置。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱解吸-大氣壓冷等離子體離子源質(zhì)譜分析裝置，其特征在于，沿水平方向，所述加熱部與所述質(zhì)譜儀的入口之間的間距小于或等于10mm。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或7或8所述的熱解吸-大氣壓冷等離子體離子源質(zhì)譜分析裝置，其特征在于，沿水平方向，所述大氣壓冷等離子體發(fā)生裝置的出口與所述質(zhì)譜儀的入口之間的間距小于或等于5cm。

10.一種用權(quán)利要求1-9任一項所述的熱解吸-大氣壓冷等離子體離子源質(zhì)譜分析裝置檢測阿維菌素類化合物的方法，其特征在于，包括：

用所述大氣壓冷等離子體發(fā)生裝置提供的大氣壓冷等離子體離子源與通過所述加熱部進行熱輔助解吸氣化的樣品反應(yīng)，產(chǎn)生的帶電離子進入所述質(zhì)譜儀分析檢測。