[發明專利]一種接觸電阻等效模型觸點溫升的測量方法及系統在審
| 申請號： | 202011579075.1 | 申請日： | 2020-12-28 |
| 公開（公告）號： | CN112729612A | 公開（公告）日： | 2021-04-30 |
| 發明（設計）人： | 朱翔鷗;王玲;韓鵬;戴瑜興;郭鳳儀 | 申請（專利權）人： | 溫州大學 |
| 主分類號： | G01K13/00 | 分類號： | G01K13/00 |
| 代理公司： | 北京高沃律師事務所 11569 | 代理人： | 王愛濤 |
| 地址： | 325000 浙江省溫州市甌海*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 接觸 電阻 等效 模型 觸點 測量方法 系統 | ||
1.一種接觸電阻等效模型觸點溫升的測量方法，用于測量第一觸頭與第二觸頭閉合處的最高溫升，其中，所述第一觸頭包括第一觸頭本體以及設置于所述第一觸頭本體的端部的第一觸點；第二觸頭包括第二觸頭本體以及設置于所述第二觸頭本體的端部的第二觸點，且所述第一觸點與所述第二觸點閉合設置；
其特征在于，所述接觸電阻等效模型觸點溫升的測量方法包括：
不通電流，加熱所述第一觸頭本體的下底面，得到觸頭溫升變量；
為所述第一觸頭和所述第二觸頭通電，測量所述第一觸頭本體的上表面溫升；
基于接觸電阻等效模型，根據所述觸頭溫升變量及所述上表面溫升，得到所述第一觸點與所述第二觸點閉合處的最高溫升。
2.根據權利要求1所述的接觸電阻等效模型觸點溫升的測量方法，其特征在于，所述不通電流，加熱所述第一觸頭本體的下底面，得到觸頭溫升變量，具體包括：
不通電流時，使用加熱裝置加熱所述第一觸頭本體的下底面；
待所述第一觸頭本體的溫升達到穩定溫升后，測量所述第一觸頭本體的下底面溫升τm'和所述第一觸頭本體的上表面溫升τ0'；
根據所述第一觸頭本體的下底面溫升τm'和所述第一觸頭本體的上表面溫升τ0'，得到觸頭溫升變量α：
其中，h為所述第一觸頭本體的長度。
3.根據權利要求1所述的接觸電阻等效模型觸點溫升的測量方法，其特征在于，所述接觸電阻等效模型包括：觸頭本體下底面溫升等效模型以及觸點相對于觸頭本體下底面的溫升等效模型；
所述基于接觸電阻等效模型，根據所述觸頭溫升變量及所述上表面溫升，得到所述第一觸點與所述第二觸點閉合處的最高溫升，具體包括：
基于所述觸頭本體下底面溫升的等效模型，根據觸頭的通電電流、所述觸頭溫升變量及所述上表面溫升，得到所述第一觸頭本體的下底面溫升；
基于所述觸點相對于觸頭本體下底面的溫升等效模型，根據觸頭的通電電流，得到所述第一觸點相對于所述第一觸頭本體下底面的溫升；
根據所述第一觸頭本體的下底面溫升以及所述第一觸點相對于所述第一觸頭本體下底面的溫升，得到所述第一觸點與所述第二觸點閉合處的最高溫升。
4.根據權利要求3所述的接觸電阻等效模型觸點溫升的測量方法，其特征在于，所述基于所述觸頭本體下底面溫升的等效模型，根據觸頭的通電電流、所述觸頭溫升變量及所述上表面溫升，得到所述第一觸頭本體的下底面溫升，具體包括：
在所述第一觸頭本體上取一觸頭薄片；
根據所述觸頭薄片、所述觸頭的通電電流、所述觸頭溫升變量及所述上表面溫升，得到所述第一觸頭本體的下底面溫升τm：
其中，τ0為上表面溫升；I為觸頭的通電電流；ρ為觸頭材料的電阻率；λ為觸頭材料的熱導率；A為觸頭薄片的面積；α為觸頭溫升變量；h為第一觸頭本體的長度。
5.根據權利要求3所述的接觸電阻等效模型觸點溫升的測量方法，其特征在于，所述基于所述觸點相對于觸頭本體下底面的溫升等效模型，根據觸頭的通電電流，得到所述第一觸點相對于所述第一觸頭本體下底面的溫升，具體包括：
在與所述第一觸頭本體下底面的距離為x處的第一觸點上取一觸點薄片；
根據所述觸點薄片以及所述觸頭的通電電流，得到所述觸點相對于第一觸頭本體下底面的溫升τf：
其中，I為觸頭的通電電流；Rj為觸頭的接觸電阻；ρ為觸頭材料的電阻率；λ為觸頭材料的熱導率；L為第一觸點的高度；x為觸點薄片距第一觸頭本體的下底面的距離。
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