[發明專利]晶圓級電容標準樣片及制備方法

有效

• 申請號: 202011578776.3
• 申請日: 2020-12-28
• 公開（公告）號: CN112820714B
• 公開（公告）日: 2022-12-13
• 發明（設計）人: 喬玉娥;劉霞美;李飛;丁立強;任宇龍;荊曉冬;吳愛華
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十三研究所
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L49/02
• 代理公司: 石家莊國為知識產權事務所 13120
• 代理人: 付曉娣

1.一種晶圓級電容標準樣片，其特征在于，包括：晶圓片和制作在所述晶圓片上的多個芯片單元；

所述芯片單元的結構中包括：多組量級不同的標稱電容系列和分別與每組所述標稱電容系列一一對應的開路器，所述標稱電容系列包括以標稱值為中心、以預設值為步進、陣列設置的多個標稱電容；多個標稱電容系列的標稱值分別對應0.5pF、1pF、10pF、100pF，所述標稱電容系列的測試頻率為100kHz至1MHz；

其中，所述標稱電容的結構為金屬-絕緣體-金屬，在所述晶圓片和所述0.5pF電容的下金屬極板之間設有絕緣層。

2.如權利要求1所述的晶圓級電容標準樣片，其特征在于，每組所述標稱電容系列中的多個標稱電容按行陣列排布，多組所述標稱電容系列按列排布；或者每組標稱電容系列中的多個標稱電容按列陣列排布，多組所述標稱電容系列按行排布。

3.如權利要求1所述的晶圓級電容標準樣片，其特征在于，采用1:1接觸板技術對多個所述芯片單元進行位置標記。

4.如權利要求3所述的晶圓級電容標準樣片，其特征在于，所述標稱電容采用四線測量模式，用于四線測量模式的4個金屬電極的尺寸和坐標與外部測試連接的探針卡的尺寸和坐標一致。

5.如權利要求1所述的晶圓級電容標準樣片，其特征在于，所述絕緣體的介質材料為氮化硅或二氧化硅。

6.如權利要求5所述的晶圓級電容標準樣片，其特征在于，所述介質材料的介質厚度及介質尺寸為μm量級。

7.如權利要求1所述的晶圓級電容標準樣片，其特征在于，所述芯片單元的尺寸為1mm×1mm。

8.一種晶圓級電容標準樣片的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供晶圓片作為襯底，并在所述襯底上制備絕緣層；

在所述絕緣層上制備包括0.5pF、1pF、10pF、100pF的4組標稱電容系列和與每個所述標稱電容系列一一對應的開路器作為一個芯片單元；

重復制備多個所述芯片單元；

制作1:1接觸板，通過光刻工藝為所述晶圓片上多個所述芯片單元進行標記；

采用電容在片定標裝置進行測量，選擇與標稱值一致的標稱電容作為標準件。