[發(fā)明專利]一種加工制作PDMS微流控芯片中對準曝光系統(tǒng)的對準標記設計

有效

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• 申請日: 2020-12-28
• 公開（公告）號: CN112882358B
• 公開（公告）日: 2023-01-31
• 發(fā)明（設計）人: 趙幸福;朱海燕;張迎潔;印唐臣;孫逸凡;王天倫;楊佳銘
• 申請（專利權）人: 南通大學
• 主分類號: G03F9/00
• 分類號: G03F9/00
• 代理公司: 南京瑞弘專利商標事務所(普通合伙) 32249
• 代理人: 許潔

1.一種加工制作 PDMS 微流控芯片中對準曝光系統(tǒng)的對準標記，其特征在于：

（1）采用圓面上嵌套十字架的結構作為套刻對準標記；

（2）此對準標記中圓的圓心與十字架中心重疊；

（3）十字架線段長度大于圓直徑；

（4）此對準標記中圓的直徑不做精確要求，在直徑為 80mm 的硅片上以 1-2mm肉眼易察覺為宜；十字架線段長度亦不做精確要求，3-4mm 為宜不影響芯片結構即可；

（5）為提高精對準的對準精度，十字架線寬設計較窄，20-30 微米為宜，低于 20 微米時已經(jīng)接近光刻顯影分辨率的極限，同時此線條結構穩(wěn)定性也差，較寬則又會降低精確度，20-30 微米為宜；

（6）用作對準的圓十字架標記設計在掩膜邊緣對位位置，如此兩個對準標記即可完成對準，另外在掩膜中心再設計一十字架對準標記標志中心位置，對位的對準標記應設計在掩膜邊緣不影響芯片結構即可；

（7）套刻時，掩膜的圓對準標記應略大于硅片上的圓，硅片圓直徑是掩膜的圓直徑的0.85-0.95 倍，如此可方便透過掩膜觀察硅片對準標記并進行調(diào)整。

2.根據(jù)權利要求 1 所述的加工制作 PDMS 微流控芯片中對準曝光系統(tǒng)的對準標記，其特征在于：用圓作為對準標記，可以較為方便的透過面積較大的圓發(fā)現(xiàn)硅片上的對準標記，可以快速實現(xiàn)粗對準。

3.根據(jù)權利要求 1 所述的加工制作 PDMS 微流控芯片中對準曝光系統(tǒng)的對準標記，其特征在于：由于套刻對準標記位置肉眼能夠觀察到，在套刻前的掩膜安裝時盡量將掩膜標記置于硅片標記的上方，安裝完畢后再在顯微鏡下進一步對準，如此，僅需要兩個此套刻對準標記即可完成對準操作，用處在對位的兩個標記點進行對準即可，如此通過在 Y 軸方向上設置三點共線的對準標記位點把標記的搜索鎖定在 Y 軸上。

4.根據(jù)權利要求 1 所述的加工制作 PDMS 微流控芯片中對準曝光系統(tǒng)的對準標記，其特征在于：粗對準完成后，再用傳統(tǒng)的十字架標記為參考完成精對準。

5.根據(jù)權利要求 1 所述的加工制作 PDMS 微流控芯片中對準曝光系統(tǒng)的對準標記，其特征在于：對準時，掩膜上各對準標記中的圓外十字架線條與硅片十字架線條完全重合時即表示精對準完成，對準成功。

6.根據(jù)權利要求 1 所述的加工制作 PDMS 微流控芯片中對準曝光系統(tǒng)的對準標記，其特征在于：圓聯(lián)合十字架標記，先用圓標記實現(xiàn)粗對準，緊接著用十字架實現(xiàn)精對準，如此將高難度的對準操作分解為粗對準與精對準兩步，降低難度，便于操作。

7.根據(jù)權利要求 1 所述的加工制作 PDMS 微流控芯片中對準曝光系統(tǒng)的對準標記，其特征在于：用接觸式曝光機進行套刻時，對準后硅片掩膜接觸時有時因兩者的接觸作用會導致兩者之間發(fā)生偏移，在兩者接觸力度較輕時通過旋轉(zhuǎn)及 X、Y 軸方向的平移可實現(xiàn)再對準，然后將硅片與掩膜壓緊、曝光。